秋低频电子线路常用半导体器件原理.pptVIP

低频电子线路 《低频电子线路》(3) 山东大学 信息科学与工程学院 刘志军 回顾上节课 第四章 常用半导体器件原理 4.1半导体物理基础 物质按导电性能分类 半导体三大特性 本征半导体 共价键结构 两种载流子的概念 载流子的产生 杂质半导体 半导体中的电流 本节课内容 4.2 PN结 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的击穿特性 PN结的电容特性 PN结的电阻特性 PN结的温度特性 4.2 PN结 PN结是通过采用半导体工艺制作，使N型和P型半导体在其结合处（界面）所形成的一种特殊结构（薄层），它具有特殊的物理性质。 PN结是构成半导体器件的核心结构。 PN结是半导体器件的心脏。 PN结形成（图示） 4.2.1 PN结的形成 PN结形成 的 “三步曲” （1）多数载流子的 扩散运动。 （2）空间电荷区和少数载流子的 漂移运动。 （3）扩散运动与漂移运动的 动态平衡。 ----精品课网站有动态演示 势垒区的形成（图示） 空间电荷区（耗尽层） PN结建立在在N型和P型半导体的结合处，由于扩散运动，失空穴和电子后形成不能移动的负离子和正离子状态，这个区域称为 空间电荷区（耗尽层）。 PN结的其它名称 自建电场 势垒区 阻挡层 PN结很窄（几个到几十个 ?m)。 耗尽层