7★2010GT08级IC原理第5章MOS反相器1....pptVIP

PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。 与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于 截止区，其电压条件是 VGSVTN (NMOS)， VGSVTP (PMOS)， 值得注意的是， PMOS的VGS和VTP都是负值。 PMOS的电流-电压特性曲线 如图所示。 VGS=VTN 以上的讨论，都有一个前提条件，即当VGS=0时没有导电沟道，只有当施加在栅上的电压绝对值大于器件的阈值电压的绝对值时，器件才开始导通，在漏源电压的作用下，才能形成漏源电流。以这种方式工作的MOS器件被称为 增强型 (enhancement mode) 又称常关闭型(normally-off) MOS晶体管。 所以，上面介绍的是增强型NMOS晶体管和增强型PMOS晶体管。 除了增强型MOS器件外，还有一类MOS器件，它们在栅上的电压值为零时(VGS=0)，在衬底上表面就已经形成了导电沟道，在VDS的作用下就能形成漏源电流。这类MOS器件被称为 耗尽型(depletion mode) 又称常开启型(normally-on) MOS晶体管。 耗尽型NMOS管的剖面结构如图所示。 栅 耗尽型MOS晶体管分为耗尽型NMOS晶体管和耗尽型PMOS晶体管。对于耗尽型器件，由于VGS=0时就存在导电沟道，因此，要关闭沟道将施加相对于同种沟道增强型MOS管的反极性电压。对耗尽型NMOS晶体管，由于在VGS=0时器件的表面已经积累了较多的电子，因此，必须在栅极上施加负电压，才能将表面的电子“赶走”。同样地，对耗尽型PMOS晶体管，由于在VGS=0时器件的表面已经存在积累的正电荷空穴，因此，必须在栅极上施加正电压，才能使表面导电沟道消失。 使耗尽型器件的表面沟 道消失所必须施加的电 压，称为夹断电压VP (pinch-off)， 显然，NMOS的夹断电压 VPN0，PMOS的夹断电压 VPP0。耗尽型NMOS管的 电流-电压特性曲线如右图 所示。 耗尽型NMOS晶体管夹断电压VP的符号为负。增强型NMOS晶体管阈值电压VT的符号为正。 VGS=0 耗尽型器件的初始导电沟道的形成主要来自两个方面：①栅与衬底之间的二氧化硅介质中含有的固定电荷的感应；②通过工艺的方法在器件衬底的表面形成一层反型材料。显然，前者较后者具有不确定性，二氧化硅中的固定正电荷是在二氧化硅形成工艺中或后期加工中引入的，通常是不希望存在的。后者则是为了获得耗尽型MOS晶体管而专门进行的工艺加工，通常采用离子注入的方式在器件的表面形成与衬底掺杂类型相反(与源漏掺杂类型相同)的区域，例如，为获得耗尽型NMOS管，在P型衬底表面通过离子注入方式注入Ⅴ价元素磷或砷，形成N型的掺杂区作为沟道。由于离子注入可以精确的控制掺杂浓度，因此器件的夹断电压值具有可控性。 第5章 MOS反相器 本章在 “《半导体集成电路 》朱正涌编著，张开华主审， 清华大学出版杜 2001年，高等学校工科电子类规划教材 ”中，排序为第7章 复习与补充 铝栅、硅栅器件 铝栅工艺MOSFET的结构Structure Gate Source Drain W L 铝栅工艺MOSFET的结构 N阱硅栅CMOS IC的剖面图 典型P阱CMOS工艺的剖面图 源 硅栅 漏 薄氧化层 金属 场氧化层 p-阱 n-衬底 （FOX） 低氧 刻有源区 刻硅栅 刻接触孔 刻铝 场SiO2 栅SiO2 栅SiO2 S/D G D/S N 沟道硅栅 MOSFET 剖面图 P N+ N+ 硅栅 以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以 Si3N4为栅介质的MNS 器件，以及以SiO2+Si3N4为栅介质的MN