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2. 工作原理（以N沟道JFET为例） P P D G S ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时， 当沟道全夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off) 。 对于N沟道的JFET： PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄； VGS N VGS(off) 0 沟道存在的条件： VGS(off) ＜ vGS＜0 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ID ? 形成一个非均匀的导电沟道 （呈楔形分布）。 当VDS ?到使VGD= VGS(off) 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? 夹断长度略有增加，称为部分夹断。 ? ? ? ID基本不变 2. 工作原理（以N沟道JFET为例） P P D G S VGS N VDS ID A B H ③ VGS和VDS同时作用时 导电沟道更容易夹断， 即对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处: VGD=VGS-VDS = VGS(off) 当VGS(off) VGS0 时， 2. 工作原理（以N沟道JFET为例） vDS iD o - VGS(off) IDSS H VGD= VGS(off) VGS=0 VGS= VGS(off) 有：VDS=VGS- VGS(off) 工作在放大区的条件: VDSVGS- VGS(off) VGS(off) VGS≤0 综上分析可知： 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG?0，输入电阻很高。 2. 工作原理（以N沟道JFET为例） 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 §2.4 静态工作点的稳定 一、温度对静态工作点的影响 二、静态工作点稳定的典型电路 三、稳定静态工作点的方法 一、温度对静态工作点的影响 所谓Q点稳定，是指ICQ和UCEQ在温度变化时基本不变，这是靠IBQ的变化得来的。 若温度升高时要Q’回到Q，则只有减小IBQ T（ ℃ ）→β↑→ICQ↑ →Q’ ICEO↑ 若UBEQ不变IBQ↑ Q’ 二、静态工作点稳定的典型电路 直流通路？ Ce为旁路电容，在交流通路中可视为短路 1. 电路组成 2. 稳定原理 为了稳定Q点，通常I1 IB，即I1≈ I2；因此 基本不随温度变化。 设UBEQ＝ UBEQ0＋ΔUBE，若UBQ－ UBEQ0ΔUBE，则IEQ稳定。 Re 的作用 T(℃)↑→IC↑→UE ↑→UBE↓（UB基本不变）→ IB ↓→ IC↓ Re起直流负反馈作用，其值越大，反馈越强，Q点越稳定。 关于反馈的一些概念： 将输出量通过一定的方式引回输入回路，从而影响输入量的措施称为反馈。 直流通路中的反馈称为直流反馈。 反馈的结果使输出量的变化减小的称为负反馈，反之称为正反馈。 Re有上限值吗？ IC通过Re转换为ΔUE影响UBE 温度升高IC增大，反馈的结果使之减小 3. Q 点分析 分压式电流负反馈工作点稳定电路 Rb上静态电压是否可忽略不计？ 判断方法： 4. 动态分析 利?弊? 无旁路电容Ce时： 如何提高电压放大能力？ 三、稳定静态工作点的方法 引入直流负反馈 温度补偿：利用对温度敏感的元件，在温度变化时直接影响输入回路。 例如，Rb1或Rb2采用热敏电阻。 它们的温度系数？ 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 讨论一 图示两个电路中是否采用了措施来稳定静态工作点？ 若采用了措施，则是什么措施？ RL RB ? + ? + C1 C2 vi +VCC RC vO 三种CE电路的AV 、Ri 、RO 计算公式比较： Ri =RB//rbe Ri =R1//R2//rbe Ri =R1//R2//[rbe +(1+b )RE1] RO= RC RO= RC RO= RC + T vi R2 RC C1 C2 RL vo R1 RE CE + ? ? +VCC RE2 RE1 + T vi R2 RC C1 C2 RL vo R1 CE + ? ? +VCC §2.5 晶体管放大电路的三种接法 一、基本共集放大电路 二、基本共基放大电路 三、三种接法放大电路的比较 一、基本共集放大电路 1. 静态分析 2. 动态分析：电压放大倍数 故称之为射极跟随器 Uo＜ Ui 交流等效模型？ 2. 动态分析：输入电阻的分析 Ri与负载有关！ RL 带负载电阻后 从基极看Re，被增大到（1+β）倍 2. 动态分析：输出电阻的分析 Ro