第七讲_无机封装基板.ppt

AlN陶瓷基板制作方法 Al2O3基板制造的各种方法都可以用于AlN基板的制造。其中用的最多的是生片叠层法，即将AlN原料粉末、有机粘结剂及溶剂、表面活性剂混合制成陶瓷浆料，经流延、叠层、热压、脱脂、烧成制得。 但应特别指出的是，由于金属杂质及氧、碳等杂质的含量及存在状态对AlN基板的热导率有很大影响，必须从原料粉末的选择和处理、烧结助剂、烧成条件等方面采取措施，严格控制这些杂质。 AlN基板金属化 金属化膜的形成，各种方法都可以适用。但有两点需注意： 一点是AlN的烧成温度很高，必须采用高熔点金属后膜共烧浆料； 另一点是，一般说来AlN与金属化层的结合力不如Al2O3，必须采用特殊玻璃粘结剂的厚膜浆料。 AlN基板的特性 AlN基板热导率受残留氧杂质的影响 AlN材料相对于Al2O3来说，绝缘电阻、绝缘耐压更高些，介电常数更低些，特别是AlN的热导是Al2O3的10倍左右，热膨胀系数与Si相匹配，这些特点对于封装基板来说十分难得。 AlN基板的应用 VHF(超高频)频带功率放大器模块采用AlN结构的示意图。在AlN基板上用激光加工通孔，用丝网印刷在通孔中填入Pd-Ag浆料并形成电路图形，同图 (a)所示采用Al2O3与BeO相组合的复合基板相比，结构简单，其热阻为7.4℃/W，同图 (b)的热阻7.1℃/W相比，不相上下，频率及输入、输出特性也基本相同。 3、碳化硅（SiC）基板 碳化硅是非天然出产而是由人工制造的矿物。由硅石(SiO2)、焦碳及少量食盐以及粉末状混合，用石墨炉将其加热到2000℃以上发生反应，生成α- SiC，再通过升华析出，可得到暗绿色块状的多晶集合体。由于加热和升华过程中，金属性杂质及卤化物等由于挥发会自动排除，因此很容易获得高纯度制品。 SiC是强共价键化合物，硬度仅次于金刚石、立方氮化硼(c-BN)，而且具有优良的耐磨性、耐药品性。高纯度单晶体的热导率仅次于金刚石。 碳化硅（SiC）基板制作方法 采用普通方法烧成难以达到致密化，需要添加烧结助剂并采用特殊方法烧成。将暗绿色SiC块状多晶体经研磨精制成粉末原料，添加作为烧结助剂的质量分数0.1%~3.5%的BeO以及粘结剂、溶剂等，利用喷雾干燥机造粒。将造粒粉在室温及100MPa压力下加压成板状，然后放入石墨模具中加压的同时(热压)，在大约2100℃下烧成。利用这种工艺，可以获得平均粒径大约6μm，相对密度达98%以上的的密的黑灰色SiC基板。 由于SiC基板的烧成温度为2100℃，能承受这么高温度的导体材料很难找到，本质上说，SiC材料不适合制作多层电路基板，但可以利用基板的表面，形成薄膜多层电路基板。 碳化硅（SiC）基板特性 优点： 热扩散系数突出 热导率高 热膨胀系数与Si相近 缺点： 与Al2O3等基板相比，介电常数高（不适用于通信机等高频电路基板 ） 绝缘耐压差 （电场强度达到数百伏每厘米以上时，会迅速丧失绝缘性，很容易击穿 ） 各种基板与Si的热膨胀系数的对比 SiC基板的热导率与温度关系 碳化硅（SiC）基板应用 ----低电压电路及VLSI高散热封装的基板 由于SiC与Si的热膨胀系数向匹配，不必采用Mo等的应力缓冲材料，且SiC的热扩散系数比Cu还高，因此，LSI产生的热量会迅速在SiC基板上散开，再通过由硅胶粘结的Al散热片高效率的扩散。在此例中，二者的热阻基本相同，大致都为9℃/W，而采用SiC基板的一方要略低些 SiC基板用于高速高集成度逻辑LSI带散热结构封装的实例 采用SiC基板的MCM封装的情况，从芯片到散热片外界的总热阻，采用Al2O3基板时，为4.9℃/W，后者降低50%。换句话说，同样尺寸的封装，采用后者，可以满足防热量大1倍的芯片的要求。除此之外，SiC基板在超大型计算机，光通信用二极管的基板应用等方面还有不少实例。 多芯片模块（MCM）中采用Al2O3基板和SiC基板时热阻的对比 5、氧化铍（BeO）基板 氧化铍基板的热导率是Al2O3基板的十几倍，适用于大功率电路，而且其介电常数又低，又可用于高频电路。 BeO基板，基本上采用干压法制作。成型后先经300～600℃预烧，再经1500～1600℃烧成。这种方法烧成收缩小，因此尺寸精度好。但在烧成后的基板上打孔时，孔径及孔距较难控制。此外，也可在BeO中添加微量的MgO及Al2O3等，利用生片法制作BeO基板。 BeO基板烧成后的粒径很难控制，一般说来，其粒径也比Al2O3的大。因此，采用薄膜金属化时，表面必须研磨。其金属化的另一个特征是，Cu与之的结合力要优于Mo或W等。 由于BeO粉尘的毒性，存在环境问题。 6、低温共烧陶瓷（LTCC）多层基板 Al2O3、莫来石及AlN基板烧结温度在1500～1900℃，若采用