现代检测技术导论物理量检测1.pptVIP

3.1 传感器研制流程 任务分析（用专业术语描述用户需求） 调研（国内外情况、各种技术对比、技术难点） 形成设计思路（工作原理、创新点、可行性） 提出工作计划（设计方案、人员安排、时间进度） 具体实施（理论分析与实验验证相结合） 测试验收（满足用户需求） 3.2 半导体压阻式传感器 3.2.1 压阻效应与检测电桥 半导体单晶硅材料在受到外力作用产生应变时，电阻率发生变化，由其材料制成的电阻也就出现电阻变化，这种物理效应叫压阻效应。 三维力传感器的工艺实现 三维力传感器阵列通过标准的半导体平面工艺技术和微机械加工工艺技术制作。首先采用标准的半导体平面工艺在轻掺杂的n型硅片上制作力敏电阻（P型扩散电阻）以及电极引线等，再用ICP（Ion Coupling Plasma:离子耦合等离子体）刻蚀工艺形成E型膜结构。 E型膜的厚度通过改变刻蚀条件进行控制，以适应不同范围的测力需求。 ICP工艺研究：本项目的完成离不开ICP工艺，所以特别对ICP工艺进行了研究。采用的工艺设备为OXFORD INSTRUMENTS 的 Plasmalab System 100 ICP180 。 柔性三维力触觉传感器阵列的设计与制作 方案一：聚酰亚胺薄膜＋金属薄膜 在文献资料调研的基础上，我们首先选用聚酰亚胺材料薄膜作为柔性衬底,在其上制作三维力传感器阵列。 将聚酰亚胺