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2.2.5 半导体激光器的基本性质 光谱特性 光谱特性描述的是激光器的纯光学性质,即输出光功率随波长的分布规律。目的是描述不同波长分量之间的相对比例关系,一般使用输出信号的相对强度变化代替绝对功率值作为曲线的纵轴,用波长作为横轴。 稳态工作时激光器光谱由几部分因素共同决定:发射波长范围取决于激光器的自发增益谱,精细的谱线结构取决于光腔中纵模分布,波长分量的强弱则与受激辐射时各模式的增益条件密切有关。 第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 * 主要参数为: 峰值波长 中心波长 谱宽与线宽 边模抑制比 模式跳变 2.2.5 半导体激光器的基本性质--光谱特性 (1)峰值波长一般使用在单模激光器,在规定输出光功率时,激光光谱内强度最大的光谱波长被定义为峰值波长 一般单模激光器非常明显,DFB 、DBR 型LD。 (2) 中心波长 一般使用在多模激光器。在光源的发射光谱中,连接50%最大幅度值线段的中点所对应的波长,称为中心波长 ( 3 )谱宽与线宽 对于多模激光器,包含所有振荡模式在内的发射谱总的宽度,称为激光器的谱宽。 对于单模激光器,某一单独模式的宽度称为线宽。显然,单频激光器的谱宽即等于线宽,它由频率噪声(或相位噪声)决定。 谱宽和线宽的具体计算: 第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 * 2.2.5 半导体激光器的基本性质--光谱特 谱宽和线宽的具体计算: 谱宽:根据ITU -T G957 建议,F-P 腔LD是一种多模激光器,采用最大均方根(RMS )宽度定义谱宽。 在规定的光输出功率和规定的调制条件下测量光谱宽度,功率下降3dB对应的光强值。其值由下式确定: 第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 * :中心波长 2.2.5 半导体激光器的基本性质--光谱特 谱宽和线宽的具体计算: 线宽:对DFB -LD 来说,采用G957 建议的最大-20dB 宽度来定义,即在规定的光输出功率下,主模中心波长的最大峰值功率跌落-20dB (100倍)时的最大全宽为光谱线宽。 第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 * 2.2.5 半导体激光器的基本性质--光谱 (4)边模抑制比(SSR ) 在规定的输出功率和规定的调制(或CW )时最高光谱峰值强度与次高光谱峰值强度之比。该参数仅用于单模激光器。 第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 * (5) 模式跳跃 单模激光器有时会出现从q 模式跳变到q+1模式,表现为模式跳变不稳定,称为模式跳跃。在该现象中,LD 的中心波长以分离波长跳跃,并在宽的光谱范围内失去连续调谐。通过调节驱动电流,可以改变间断出现的波长。 2.2.5 半导体激光器的基本性质--光束特性 4 光束特性 对于半导体激光器,一般近场光斑和远场光斑是不一样的。这是由于水平方向和垂直方向的发散角度不一样。通常用激光器的近场和远场辐射方向图来表征其光束特性,它直接影响到器件与光纤的耦合效率。 近场:光斑大小; 远场:角度+大小 第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 * 横模是决定近场图案的主要因素,横模和发散角是决定远场位置输出光功率角分布形式的主要因素,从而可以通过测量激光器的近场和远场图案来分析其横模模式特征。 2.2.5 半导体激光器的基本性质--光束特性 第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 * LD 输出端面的辐射束光功率强度分布称为近场图, 远离LD 端面的辐射束光功率强度分布称为远场图。 尽管在有源区端面上的激光光斑呈水平椭圆形状,但从激光器发射出的远场图案却呈垂直椭圆光束。应用中希望发散角越小越好。 一般异质结平面条形激光器,在垂直方向非常薄,所以只有垂直基模,而平行方向,约束较差,存在多水平横模。 2.4 光源的调制原理 2.4.1 光源的两种调制方式 直接调制(内调制): 通过把信息转变为驱动电流(注入电流)控制半导体激光器的发光过程,获得输出光功率变化,是一种光强度调制(IM )。 优点: 简单、实现方便, 缺点: 折射率扰动,影响谐振腔的参数,动态光谱展宽——调制啁啾。 间接调制(外调制): 电光调制、电吸收调制、磁光调制、声光调制。 第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 * 2.4.2 光源的直接调制 P-I 曲线: 特点: 阈值 线性 非线性饱和 第 2 章 光 源 和 光 发 射 机 * 2.4.2 光源的直接调制 调制
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