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低能电子衍射 低能电子衍射 考虑图中所示的几何构型以及对应于零级衍射和一级衍射信号,在衍射点的角度差为: 如果λ/a=1/3,则 现在假设a~2a,则沿 原子列方向的原子密 度减半。结果是在原 来一组斑点之间出现 新的一组衍射斑,导 致周期性“1/2级斑点”。 尽管根据LEED衍射图标定原子位置不是唯一的,但从真实空间原子的组态可以预言LEED衍射图案的对称性。图中给出了立方晶体(100)表面的层结构例子。在图中的字母P代表单胞为元胞,对于P(2*2)LEED衍射图具有额外的、半级斑点,图中字母C代表单胞在中心处有一额外散射点,它在衍射图中引起(1/2,1/2)斑点。 掠入射角X射线衍射 振动石英方法 两种厚度的典型值 这是一种动力学测量方法,通过沉积物使机械振动系统的惯性增加,从而减 小振动频率。石英作为压电共振器,以切向模式运动,具有一级振动频率为: 由于薄膜沉积,膜的质量由石英检测出来,此时,石英的厚度增加了与沉积质量等价的 值: 因此振动频率改变为: 光学监测 图1 图2 这一方法是基于生长膜会产生光学干涉现象,因此只用于透明膜的测量,用于溅射系统的光学监测的例子如图1所示。在膜生长过程中干涉强度的变化如图2所示。 光学膜厚度确定 干涉仪测量膜厚方法可以使用Fizeau盘来实现,Fizeau盘能够发生多种反射导致 一尖锐的干涉现象,干涉强度为: 上式给出总反射强度与膜表面和Fizeau盘间距离的相干性。膜厚可以通过在膜上 形成阶梯,从而从干涉条纹极小值的漂移来测定膜的厚度(图2)。 图1 图2 光学膜厚度确定 X射线干涉仪 当掠入射时,X射线被平整表面反射和透过,Snell定律给出 在进行一些变换后,得: 对于表面和界面反射的光程差为 在反射曲线中极大值出现在角度为 处(图2) 图1 图2 探针法 金刚石探针沿膜表面移动,而探针 在垂直方向上的位移通过电信号可 以被放大1016倍并被记录下来。从 膜的边缘可以直接通过探针针尖所 检测的阶梯高度确定薄膜的厚度。 薄膜组分表征 薄膜组分表征的手段 卢瑟福背散射(RBS) 二次离子质谱(SIMS) X射线光电子能谱(XPS) 俄歇电子能谱(AES) 电镜中的显微分析 1909年,盖革(H. Geiger)和马斯顿(E. Marsden)观察到了α粒子散射实验现象 1911年,卢瑟福(Lord Ernest Rutherford)揭示了该现象,并确立了原子的核式结构模型 1957年,茹宾(Rubin)首次利用质子和氘束分析收集在滤膜上的烟尘粒子的成份 1967年,美国的测量员5号空间飞船发回月球表面土壤的背散射分析结果 分析薄膜材料的实验系统 卢瑟福背散射 RBS是基于中心力场的 经典散射原理,除了为 提供能量为兆电子伏特 的粒子束准值所需的加 速器外,仪器本身非常 简单。探测器使用半导 体核粒子探测器,它的 输出电压脉冲正比于从 样品散射到监测器中的 粒子能量。 背散射的能量宽度 当能量为兆电子伏特的He离子穿过薄膜样品时,在它们的入射路径在3nm和6 nm之间,以dE/dt的速率行进时,将有能量损失。在薄膜样品中,总能量损失 正比于深度t是一较好的近似,即: 在深度t的粒子能量为: 在大角度散射后,粒子沿出射的出射能量为: 背散射的能量宽度 式中 为散射角。从厚为 的薄膜中出来的信号的能量宽度 则为: 在入射和出射轨迹上,假设dE/dx为常数,将给出 与深度t具有线性关系。 对于薄膜, ,沿轨迹的能量相对变化很小。在估计dE/dx时,可以 使用“表面能量近似”,在这一近似中 用E0来估计,而 用kE0 来估计。在这一近似中,从厚度为 的膜中的能量宽度为: 背散射光谱确定薄膜组分 图中给出As注入到Si中的 散射谱图。 图中上部分给出在Si基片上、厚为100纳米的Ni膜。几乎所有的入射He束在停止前皆穿入 样品数个微米量级深度。从Ni前表面散射的粒子具有由E1=K0E 给出的能量,这里,在散射角为 170时,He散射的运动学因子对于Ni为0.76,对于Si为0.57。 二次离子质谱仪 二次离子进入能量过滤器, 然后在质谱仪中被收集和 分析,这便是二次粒子质 谱仪。所有二次离子质谱 仪都具有表面和元素深度 浓度分析能力。在一种操 作模式中,溅射离子束穿 过样品并在样品表面留下 蚀刻坑。为确保来自蚀刻 坑壁处的离子不被监测。 检测系统对于来自于蚀刻 坑中心部位的离子设计了 电致入门。 如图所示,从Ar轰击Al样品 所得到的质谱显示,不仅有 一价离化原子Al+,而且也有 二价Al2+、三价Al3+离化原子 和
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