低频电子线路讲义.ppt

* ① 输出特性曲线 指uGS 为参变量，iD随uDS变化的关系曲线 （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 2. N沟道增强型MOSFET * 输出特性曲线主要分三区： 截止区 放大区 可变电阻区 （1） 输出特性曲线 可变电阻区 放大区 截止区 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * UGS (th)=4V （1） 输出特性曲线-----截止区 对应夹断状态（反型层还未形成） 特点：uGS ? UGS (th) iD=0 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * 对应管子预夹断后的状态 特点： 受控放大 uGS ?则 iD ? （1） 输出特性曲线-----放大区 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * 对应预夹断前状态 特点： 固定uGS，uDS?则iD近似线性? -----电阻特性 固定uDS，uGS变化则阻值变化 -----变阻特性 （1） 输出特性曲线-----可变电阻区 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * 指uDS 为参变量，iD随uGS变化的关系曲线 ②转移特性曲线 开启电压UGS(th) 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * 预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程 开启电压UGS(th) ②转移特性曲线 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * uBS ?0且uBS 0时iD 受控于uBS 的特性 衬调效应又称： 背栅效应 体效应 (4) 衬调效应 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 2. N沟道增强型MOSFET * 耗尽型NMOS管 存在原始导电沟道的FET管 uGS =0时管子内已有的导电通道 转移特性 输出特性 3. N沟道耗尽型MOSFET 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） * 饱和漏极电流IDSS : uGS=0时的iD 值 夹断电压UGS(off) : iD ?0时的uGS值 开启电压UGS(th) : 增强型管刚开始导电时的uGS值 直流输入电阻RGS: RGS = UGS / IG 耗尽管参数 增强管参数 1.5.5 场效应管的参数及特点 1. 主要参数 （1）直流参数: * 增强型 耗尽型 定义： ★跨导 gm 1.5.5 场效应管的参数及特点 1. 主要参数 （2）交流参数: * 背栅跨导 gmb 定义： 计算： （2）交流参数: 输出电阻 rds 定 义： 物理意义：表示uDS对iD的控制能力 几何意义：表示输出特性曲线上工作点处切线斜率的倒数（数值很大） 极间电容：Cgs Cgd Cds ( Cbs Cbd Cbg ) 1.5.5 场效应管的参数及特点 1. 主要参数 * 在特定工作电流电压下，管子参数的温度系数可以为零 栅源击穿电压 UBR(GS) 漏源击穿电压 UBR(DS) 最大功耗 PDM : （3）极限参数: （4）参数的温度特性： 1.5.5 场效应管的参数及特点 1. 主要参数 * 导电方式 载流子 运动方式 控制方式 输入电阻 漂移 扩散 漂移 压控 流控 高 低 多子 单极型 多子少子 双极型 FET BJT 2.场效应管与晶体管的比较 1.5.5 场效应管的参数及特点 本章小结 半导体导电机理 杂质半导体 PN结 二极管 三极管 场效应管 * * * * 饱和区 特点： 饱和现象：固定uCE ,iC基本不随iB变化 uCE控制iC ：固定iB,iC随uCE剧烈变化 1.4.4 晶体三极管特性曲线 2. 共射接法输出特性曲线★ 饱和状态: E结正偏C结正偏 * 1.3.4 晶体三极管特性曲线 2. 共射接法输出特性曲线★ 饱和区 注意： 临界饱和： 临界饱和电压：UCES * 关系 集电极----基极间反向饱和电流ICBO 集电极----发射极穿透电流ICEO