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1.5 整流电路设计 已知变压器输出的交流电有效值为45V,负载电阻20Ω,需直流供电,要求设计整流电路。 设计步骤: 第一步:首先选择整流电路类型,选用桥式整流电路 第二步:根据设计要求计算流过整流二极管的平均电流、二极管经受的反向电压和二极管的功耗。 输出平均电压: 求得负载电流: 二极管功耗: 最大反向电压: 1.5 整流电路设计 已知变压器输出的交流电有效值为45V,负载电阻20Ω,需直流供电,要求设计整流电路。 设计步骤: 第三步:根据上面计算所得的平均电流、最大反向电压和功耗值,从表1-1中选择合适的整流二极管——2CZ56C 功耗: 电流: 反向电压: 1.6 二极管单向导电原理简介-1.6.1 导体、绝缘体和半导体 绝缘体:不存在能够自由移动的电荷,不导电; 导体:金属等存在大量能自由运动的电子属良导体; 半导体:硅、锗情况比较特殊,很纯的半导体硅、锗(称为本征半导体)缺少自由电荷,几乎不导电。,但加入一定量的微量元素,导电能力将发生很大变化。 N型硅:硅中加入微量的5价元素(例如磷),4个被束缚在硅原子周围,而多出的一个就能够在半导体内自由移动,于是能导电; P型硅:加入微量的3价元素(例如硼),硼原子只有3个价电子,就容易从邻近硅原子的4个价电子中拉一个过来,邻近硅原子失去一个电子而带正电,称为空穴,空穴能自由移动,于是能导电。 1.6 二极管单向导电原理简介-1.6.1 导体、绝缘体和半导体 自由电子的增加使N型硅导电,导电能力随磷元素浓度变化,磷元素浓度增加时导电能力也增加。 1.6 二极管单向导电原理简介-1.6.1 导体、绝缘体和半导体 荷正电的空穴使P型硅导电,导电能力随硼元素浓度变化,硼元素浓度增加时导电能力也增加。 1.6 二极管单向导电原理简介——1.6.2 PN结的形成 硅的一边掺杂5价元素,成为N型半导体,另一边掺杂3价元素,成为P型半导体,在边界处便会形成一种特殊的结构称为PN结。 P区的空穴向N区扩散,N区的电子向P区扩散,在边界附近的N区留下不能移动的正电荷,在P区留下不能移动的负电荷,正负电荷形成内建电场。 1.6 二极管单向导电原理简介——1.6.3 二极管的单向导电特性 一个PN结,在其两端制作电极,用引脚引出再加上外壳,即为二极管。P区引出的为二极管的正极,N区引出的为二极管的负极。 1.6 二极管单向导电原理简介——1.6.3 二极管的单向导电特性 外加电场的方向和PN结区内建电场的方向相反,外加电场减弱了内建电场,因此扩散继续进行,形成正向电流,因此二极管加正向电压时导通。 1、二极管施加正向电压时 A 内建电场方向 外加电场方向 1.6 二极管单向导电原理简介——1.6.3 二极管的单向导电特性 外加电场与内建电场方向相同,内建电场得到加强,P区空穴、N区电子的扩散被阻止,二极管表现为截止状态。 2、二极管施加反向电压时 A 内建电场方向 外加电场方向 1.6 二极管单向导电原理简介——1.6.3 二极管的单向导电特性 P区除了大量的空穴以外还存在少量的可自由移动的电子,称为少数载流子(P区的空穴则称为多数载流子);同样,N区除了多数载流子电子之外,也存在少量可自由移动的空穴(少数载流子)。 3、反向漏电流的形成 少数载流子 1.6 二极管单向导电原理简介——1.6.3 二极管的单向导电特性 二极管负极加正压时,N区的少数载流子在外电场的作用下会向P区漂移,而内建电场并不能阻挡这种漂移(注意内建电场的方向是N区指向P区,因此有助于这种漂移),同理,P区的少数载流子—电子会在外电场作用下通过PN结区向N区漂移,这样,在反向电压作用下就有电流通过-称为反向漏电流。由于少数载流子的数量是很少的,因此反向电流十分微弱。 3、反向漏电流的形成 内建电场 +电压 -电压 外电场 1.6 二极管单向导电原理简介——1.6.3 二极管的单向导电特性 反向电压很高时,载流子在空间电荷区受到强烈的电场加速作用,获得巨大的能量。使载流子能碰撞其他原子,产生新的电子孔穴对,这些新的电子空穴对又去碰撞别的原子,于是产生大量的电子空穴对,如此连锁反应,致使电流剧增,这就是我们实验中观察到的击穿现象。 4、二极管的击穿 第1章讲授到此结束 谢谢大家! 实用模拟电子技术教程 第一篇 常用半导体器件 介绍常用半导体器件,包括晶体二极管、晶体三极管、场效应管和其他半导体器件的结构、工作原理、分类、主要性能指标、国家标准规定的命名方法以及主要应用。 第一篇 常用半导体器件 第1章 半导体二极管 学习要求: 掌握二极
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