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天津大学本科生毕业设计（论文）开题报告 课题名称 掺杂对纳米多孔硅/氧化钨纳米线气体传感器性能影响 学院名称 电子信息工程学院 专业名称 电子科学与技术 学生姓名 刘峥 指导教师 胡明 一、选题的来源及意义 　 来源：近年来，空气中的二氧化氮(NO2)已经对环境和人类生活造成了极大的威胁。氧化钨(WO3)材料因其具有成本低廉、较高的灵敏度等优点，被认为是最具有发展前景的气敏材料 意义：氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器在较低的工作温度下具有良好的气敏特性，其机理主要包括三个方面的调制作用：单根氧化钨纳米线的调制作用、氧化钨纳米线网间同质结的调制作用、氧化钨/多孔硅异质结调制作用。 二、国内外发展情况 虽然氧化钨被认为是极有研究与应用前景的半导体气体敏感材料，但是基于氧化钨气敏传感器的工作温度较高，远远高于室温，一般为200 °C ~ 300 °C [14]，这一特点使得基于氧化钨气敏传感器结构需要考虑加热装置，这极大的增加了传感器的功耗，同时，也制约了其在集成电路上集成应用。一维氧化钨纳米结构与传统的氧化钨材料相比，其具有更大的比表面积；同时，在一定方向上的其尺寸能够与德拜长度相比拟，进而表现出更高的表面吸附能力，从而能够加快与待测气体之间的反应，使得基于一维氧化钨纳米结构的气敏传感器能够在较低的工作温度下表现出更高的灵敏度、更快的响应，进而减小了气敏传感器的功耗。