气相沉积技术课件.PPT

* * 双离子束镀 低能的离子束1用于轰击靶材，使靶材原子溅射并沉积在基片上。 另一个高能的离子束2起轰击（注入）作用。 * * 离子束轰击的另一个重要作用是 在室温或近室温下能合成具有良好性能的合金、化合物或特种膜层，以满足对材料表面改性的需要。 轰击离子既可以是惰性气体原子如Xe，AI，Ne，He等，也可以是反应气体原子如N，O，H以及各种有机化合物气体。 * * 这种离子束辅助沉积可以看成是物理气相沉积和离子注入两种技术改造后有机地结合在一起。 虽然使用的离子能量比一般离子注入低，不需要加速器这类昂贵的设备，但是比一般气相沉积设备还是要贵得多。 从应用看，这种技术适用于要求精度高、耐磨性特别好的工模具上，例如处理压印纪念币的模具，对印出的金、银币要求花纹一致，且重量也须严格控制，此时即使以较高的代价来处理模具也是合算的。 * * 3．离子镀的应用 * * * * 化学气相沉积（ CVD） 气相沉积过程的基本步骤与物理气相沉积不同： 沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。 在相当高的温度下，混合气体与基体的表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜。 * * 通常CVD的反应温度范围大约900～2000℃，它取决于沉积物的特性。 中温CVD（MTCVD）的典型反应温度大约500～800℃，它通常是通过金属有机化合物在较低温度的分解来实现的，所以又称金属有机化合物CVD（MOCVD）。 等离子体增强CVD（PCVD），激光CVD（LCVD）中气相化学反应由于等离子体的产生或激光的辐照得以激活也可以把反应温度降低。 * * HC-PCVD化学气相沉积系统 HC-PCVD热阴极直流等离子体化学气相沉积系统。制备金刚石膜的方法，该方法具有沉积速率高，沉积面积大，膜品质高等突出优点。 * * EA-CVD化学气相沉积系统 ????????????????????????????????? EA-CVD电子辅助热灯丝化学气相沉积系统。目前较流行的制备大面积金刚石厚膜方法。 * * 磁控与离子束复合溅射系统 ????????????????????????????????? 主要用于制备CNx等新型功能薄膜材料，还用于金刚石膜表面金属化，可进行各种金属、化合物的薄膜沉积研究。 * * MW-PCVD化学气相沉积系统 MW-PCVD微波等离子体化学气相沉积系统。属于无极放电方法，并且在较低气压下工作，可得到高品质的透明金刚石膜，应用于SOD、场发射等领域。 * * 实验室CVD设备（1） * * 实验室CVD设备（2） * * 实验室CVD设备（3） * * 实验室CVD设备（4） * * CVD技术分类（历史性发展） 1）从源物质的种类 ★卤化物CVD (60-70 年代） ★MOCVD （1976年） 2）从体系操作压力 ★ 常压（大气压）CVD ★ LPCVD （高度均匀, PLASMA-CVD) 3）从沉积过程能量提供方式 ★电阻加热－热壁CVD， ★冷壁（感应加热）CVD ★ PLASMA（辅助、增强、激活）CVD（PCVD)l ★PHOTO-CVD ★ Laser（辅助、增强、激活）CVD（LCVD) 4）从沉积装置结构形式 ★开管气流CVD ★封管输运CVD ★桶式CVD ★热丝CVD ★单一混合源CVD ★液态源CVD * * CVD的化学反应和特点 1．化学反应 CVD是通过一个或多个化学反应得以实现的。下面是一些反应的例子： （1）热分解或高温分解反应 * * （2）还原反应 * * 能量较低的二次电子在靠近靶的封闭等离子体中作循环运动，路程足够长，每个电子使原子电离的机会增加，而且只有在电子的能量耗尽以后才能脱离靶表面落在阳极（基片）上，这是基片温升低、损伤小的主要原因。 高密度等离子体被电磁场束缚在靶面附近，不与基片接触。这样电离产生的正离子能十分有效地轰击靶面，基片又免受等离子体的轰击。电子与气体原子的碰撞几率高，因此气体离化率大大增加。 * * （5）合金膜的镀制 在物理气相沉积的各类技术中，溅射最容易控制合金膜的成分。 镀制合金膜可以采用多靶共溅射，这时控制各个磁控靶的溅射参数，可以得到一定成分的合金膜。 如果直接采用合金靶（单靶）进行溅射，则不必采用任何控制措施，就可以得到与靶材成分（相对一致）的合金膜。 * * （6）化合物膜的镀制 化合物膜是指金属元素与氧、氮、硅、碳、硼、硫等非金属的化合物所构成的膜层。 化合物膜的镀制可选用化合物靶溅射和反应溅射。 许多化合物是导电材料，其电导率有的甚至与金属材料相当，这时可以采用化合物靶进行直流溅射。对于绝缘材料化合物，则只能采用射频溅射。 * * 大规模镀制化合物膜 宜