半导体物理 复习课件.ppt

爱因斯坦关系式(意义，推导) 从理论上找到扩散系数和迁移率之间的定量关系 迁移率 电场作用下运动的难易程度 扩散系数 存在浓度梯度下载流子运动的难易程度 第五章 p-n结 1、内建电场结果 2、费米能级相等标志了载流子的扩散电流和漂移电流互相抵消 p-n结接触电势差VD VD和p-n结两边的掺杂浓度、温度、材料的禁带宽度有关。 在一定温度下，●突变结两边的掺杂浓度越高，接触电势差VD越大； ●禁带宽度越大，ni越小，接触电势差VD越大； p-n结电流电压特性 正向偏压下p-n结的费米能级 反向偏压下p-n结的费米能级 p-n结隧道效应 原理及描述 重掺杂的p区和n区形成的p-n结称为隧道结 第六章 半导体表面与MIS结构 表面电场效应——MIS结构（金属－绝缘层－半导体） 表面势：空间电荷层内的电场从表面到体内逐渐减弱直到为零，电势发生相应变化，电势变化迭加在电子的电位能上，使得空间电荷层内的能带发生弯曲，“表面势VS”就是为描述能带变曲的方向和程度而引入的。 多子堆积 多子耗尽 少子反型 强反型条件（推导、理解） 强反型： Vs≥2VB T↑，NA↑衬底杂质浓度越高，Vs就越大，越不容易达到反型。 NA=pp0, C－V特性 (1) VG0，多子积累 绝对值较大时，，空穴聚集表面， C＝C0，AB段（半导体看成导通） 绝对值较小时，C0和Cs串联，C随 V增加而减小，BC段 (2)VG＝0 CFB－表面平带电容 (3) VG0 耗尽状态：VG增加，xd增大，Cs减小，CD段 Vs2VB时： EF段（低频）强反型，电子聚集表面， C＝C0 GH段（高频）：反型层中电子数量不能随高频信号而变，对电容无贡献， 还是由耗尽层的电荷变化决定（强反型达到xdm不随VG变化，电容保持最小值）；GH段 第七章 金属和半导体接触 功函数 电子亲和能 金属和n型半导体接触能带图（WmWs） （a）接触前；（b）间隙很大； （c）紧密接触；（d）忽略间隙 电势降落在空间电荷区和金属半导体表面之间 电子的流向 两种金半接触 欧姆接触 不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子发生显著的变化。 整流接触 * 非平衡多数载流子，非平衡少数载流子，通常所说的非平衡载流子指非平衡少数载流子 * 典型的陷阱，尽管浓度较小，仍可以使陷阱中的非平衡载流子远远超过导带和价带中的非平衡载流子。 杂质能级与平衡时费米能级重合时，最有利于陷阱作用。 陷阱效应的存在大大增长了从非平衡态恢复到平衡态的驰豫时间。 * 扩散是一与浓度有关的过程 空穴扩散系数 空穴扩散系数 空穴扩散系数 空穴扩散系数 空穴扩散系数：反映非平衡少数载流子扩散本领的大小。 * 爱因斯坦关系式不但可用于平衡载流子，也用于非平衡载流子，表明了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系 * VG，三个状态描述 半导体物理 半导体物理复习课 第一章 半导体中的电子状态 晶体结构与共价键 金刚石型结构 闪锌矿型结构 纤锌矿型结构 氯化钠型结构 能级与能带 电子在原子核势场和 其他电子作用下分列 在不同能级 相邻原子壳 层形成交叠 原子相互接近 形成晶体 共有化运动 共有化运动：由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动 只有外层电子共有化运动最显著 能级分裂 能带形成 满带或价带 导带 半导体中电子状态和能带 晶体中的电子 VS 自由电子 严格周期性重复排列的原子间运动 恒定为零的势场中运动 单电子近似：晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场 以及其他大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期变化的， 并且它的周期与晶格周期相同。 半导体中的电子运动 半导体中E(k)与k的关系 电子速度与能量关系 电子有效质量 有效质量的意义： f a 1、概括了半导体内部势场的作用 2、a是半导体内部势场和外电场作用的综合效果 3、直接将外力与电子加速度联系起来 常见半导体能带结构 直接带隙：砷化镓 间接带隙：硅、锗 半导体中的杂质 所处位置不同：替位式杂质、间隙式杂质 所处能级不同：施主杂质、受主杂质 施放电子而产生导电电子并形成正电中心 接受电子成 为负电中心 第二章 半导体中载流子的统计分布 热平衡状态 低能量的量子态 高能量的量子态 产生电子空穴对 使电子空穴对 不断减少 热平衡载流子：处于热平衡状态下的导电电子和空穴 状态密度 状态密度：能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 状态密度的计算：为简单起见，考虑等