毕业答辩-硅阵列复合体系的光吸收特性的研究.pptxVIP

石墨烯-硅阵列复合体系光吸收特性研究;内容;1 研究背景及意义; 表面等离子体激元有近场局域增强和空间高度局域的特性，在制造纳米光学器件有很高的应用前景。 通过石墨烯的独特性能而激发的表面等离子体有许多优势。 ;2 表面等离子体激元简介;表面等离子体性质： 一、在垂直于界面的方向的场强呈指数衰减且只能发生在介电常数（实部）符号相反（即金属和介质）的界面两侧； 二、有很高的局域场增强效应； 三、能够突破衍射极限。 表面等离子体应用： 表面等离子体技术在亚波长光学，数据存储，发光技术，显微镜和生物光子学有重要影响。;3 数值模拟方法;4 石墨烯的电磁模型;?;上式中，第一项是主要由带内跃迁导致，第二项则是由带间跃迁导致的。当带内散射是主要因素时，电导率为：;最后我们可得石墨烯的介电常数公式：;图1 石墨烯介电常数实部随波长的变化;图2;5 石墨烯-硅阵列的光吸收特性;?;入射光能量耦合进表面等离子体中，此后表面等离子体激元又将入射光的能量前向散射到硅阵列内部进而出现反射谱谷值。计算表面，利用石墨烯-硅阵列耦合体系在一定入射角的条件下可以实现入射光能量的100%完全捕获。 ;从上图可以看出反射谱的形态依赖于光栅的深度，每条反射曲线所对应的最佳共振角度都有所不同。每条反射曲线的第一共振峰随光栅高度的增大向小角度方向移动，光栅的深度使光栅表面的有效折射率发生变化，所以导致表面等离子体共振角度偏移。;共振峰半角宽度随着光栅深度的增加而增大，这将有利于实现降低光吸收对角度的敏感性，提高器件的宽角度吸收能力。;固定光栅高度和占空比，调节光栅周期。;下面研究占空比分别为0.2、0.5、0.8时对应的光栅反射谱变化。;5.2 梯形光栅;梯形光栅结构单元表面电场场强分布;在小角度入射时，光栅反射率较低，说明部分入射光能量耦合进表面等离子体中，随着角度的增大，反射率增大表明表面等离子体共振的光能量损失越大。;从上图可以看出，光栅调制深度的改变对图像波形的影响较小。;在一定范围内增加光栅周期可使共振角向小角度方向移动。;5.3 三角形光栅;一维三角形光栅表面电场场强分布;从上图可以看出，三角形光栅反射率与入射角成正比，随入射角增大，反射率增大。;小范围的光栅调制深度对反射谱的影响很小，在40度之前，反射谱会因调制深度不同有些变化，但40度后，曲线基本重合。并且，在40度之前，反射率会随着光栅深度的增加而减小。;在一定光栅周期下，反射率与光栅常数成反比，光栅周期越大，反射率曲线越低。;6 结论;致谢