集成电路制造工艺(上).pptVIP

第一章 概述 隔离区的生长流程如下：隔离氧化、隔离光刻、隔离扩散。 （5）生长基区 基区的掺杂和分布直接影响器件电流增益、截止频率等 特性，因此掺杂的剂量及温度等需严加控制。基区的生长同 样要经过氧化、光刻、扩散三步。 （6）发射区及集电极接触区生长 半导体的掺杂浓度达到一定的程度才能和金属之间形 成良好的欧姆接触，而集电区掺杂浓度较低，所以必须生 长集电极欧姆接触区。 （7）形成金属互连 晶体管的各个区制作完成，就要开始制作金属电极引 线，来实现电路内部的元件互连和与外部连接的电极。需经 过引线氧化、引线孔光刻、金属淀积、引线反刻等工序。 经过以上工艺，一个标准埋层双极晶体管的前道工艺 （wafer制作）已完成，接下来只要通过后道的测试、键 合、封装等工序就是成品了 。 MOS工艺 MOS的意思是Metal Oxide Semiconductor，即 金属-氧化物-半导体器件。与双极晶体管不同，它是单极型 器件。按导电沟道的不同有PMOS管和NMOS管之分。 MOS管（MOSFET）构成的集成电路就是MOS集成 电路。由NMOS和PMOS共同构成的互补型集成电路就是 CMOS集成电路。 2．受主杂质 向硅中掺如硼，硼原子占据了硅原子的位置，其结果是形成一个负电中心和一个多余的空位。这种杂质，我们称它为受主杂质或p型杂质。 多晶硅的制备 现今，300mm的wafer技术已经成熟，随着直径的增大，其制造难度也相应提高。 高温氯化 低纯三氯氢硅 提纯 高纯三氯氢硅 高温碳还原 粗硅 石英石 高温氢还原 高纯硅 生长单晶硅 目前制备单晶硅的主要方法有柴氏拉晶法（即CZ法） 和悬浮区熔法，85%以上的单晶硅是采用CZ法生长出来的。 1.单晶炉 单晶炉可分为四个部分：炉体、机械传动系统、加热温控系统以及气体传送系统。 炉体包括了炉腔、籽晶轴、石英坩埚、掺杂勺、籽晶罩、观察窗几个部分。炉腔是为了保证炉内温度均匀分布以 及很好的散热；籽晶轴的作用是带动籽晶上下移动和 旋转；掺杂勺内放有需要掺 入的杂质；籽晶罩是为了保 护籽晶不受污染。机械传动 系统主要是控制籽晶和坩埚 的运动。为了保证Si溶液不 被氧化，对炉内的真空度要 求很高，一般在5Torr以上， 加入的惰性气体纯度需在 99.9999%以上。 2．生长过程 （1）准备工作 多晶硅的纯度要很高，还要用氢氟酸对其进行抛光达到清洗的目的；籽晶上的缺陷会“遗传”给新生长的晶体，所以在选择籽晶时要注意避开缺陷；籽晶的晶向和所要生长的晶体相同；籽晶要经过清洗；根据待生长晶体的导电类型选择要掺入的杂质；清洗杂质；所有经过清洗的材料用高纯度的去离子水冲洗至中性，然后烘干，以备后用。 （2）装炉 将经过粉碎的多晶硅装入石英坩埚内；把籽晶夹到籽晶轴的夹头上，盖好籽晶罩；将炉内抽为真空并冲入惰性气体；检测炉体的漏气率是否合格。 （3）加热熔硅 真空度符合要求，充满惰性气体就开始加热。一般是用高频线圈或电流加热器来加热的，后者常用于大直径硅棒的拉制。在1420℃的温度下把多晶和掺杂物加热到熔融状 态。 （4）拉晶 拉晶过程分为以下五个步骤。 引晶，也叫下种。先将温度下降 到比1420℃稍低一些的温度，将籽 晶下降至距液面几毫米处，对籽晶进 行2～3min的预热，使熔融硅与籽 晶间温度平衡。预热后，使籽晶与熔 融硅液面接触，引晶完成。 缩颈，引晶结束后，温度上升，籽 晶旋转上拉出一段直径为0.5～0.7cm 的新单晶，这段单晶的直径比籽晶细。 缩颈的目的是为了消除籽晶原有的缺陷 或引晶时由于温度变化引起的新生缺陷。 缩颈时的拉速较快一些，但不宜过快。 拉速过大或直径变化太大都容易导致生 成多晶。 放肩，缩颈后放慢速度、降低温度，让晶体长大至所需直径。 等径生长，在放肩完成前缓慢升温，放肩结束，保持直径生长单晶。生长过 程中，拉速和温度都 要尽可能的稳定，以 保证单晶的均匀生长。 收尾，单晶生长接近结束时，适当升高温度，提高拉速，慢慢减小晶棒直径，拉出一个锥形的尾部。其目的是为了避免晶棒离开熔融液时急速降温而产生的缺陷向上延伸。 单晶硅性能测试 生长好的单晶硅需要经过测试来衡量各项参数是否符合要求。 1．物理性能的测试 外观检验 晶向检验 测量直径 2. 缺陷检验 3．电气参数测试 导电类型的测试