基于单片机的新型横向光电效应的信号处理器.docVIP

PAGE 1 PAGE 1 基于单片机的新型横向光电效应的信号处理器 摘 要 从理论上已经得出横向光电效应位置敏感探测器的输出电流和入射光斑的位置成一种固有的非线性关系。基于单片机的输出电流与位置之间的理论关系，一种能够校正非线性和减少位置测量偏差的横向光电效应的位置灵敏探测器被开发出来。新型信号处理器的横向光电效应探测器（S1200，13×13 mm2，滨松光子学株式会社）能够得出PSD的电流输出位置和光点的入射位置之间的线性关系。在一个13×13毫米有效区的60％的范围内，可知该位置非线性有效值为0.15％、位置测量偏差均方根值为±20微米。同时，新的信号处理器与传统的模拟信号相比，新的信号处理器有更好的兼容性、更低的成本、更高的精度，并且容易进行接口。 目 录 TOC \o 1-2 \h \z \u 1 引言 1 2 硬件系统设计 3 3 非线性校正软件设计 5 3.1 理论探讨 5 3.2 非线性校正软件的研究 6 3.2.1 数据结构 7 3.2.2 软件研发 8 4 实验结果 10 5 总结 12 参考文献 13 PAGE 1 PAGE 1 1 引言 二维位置灵敏探测器（PSD）得到广泛应用，包括三边PSD，双轴蜂房式线圈PSD，枕型PSD等。其中，三边PSD具有以下优点：它很容易被制造，拥有至少暗电流，并且便利的是反向偏置。然而，这种PSD还是有它不足之处的，例如，相比其他类型的PSD时，它具有严重的非线性和测量偏差，最大测量偏差是至多约设备的有效长度的10％。譬如，对于一个双轴蜂房式线圈PSD或枕型PSD的敏感区域约为150毫米，在A区一个典型的位置测量偏差区域约是设备中心活性敏感区域的12％，一般偏差为±80微米，最大位差为±150微米。在B区，一个典型的位置测量偏差区域约是设备中心活性敏感区域的50％，一般偏差为±150微米，最大位差为±250微米。对于使用相同有源敏感区域的横向光电效应PSD，其在A区和B区典型位置测量误差和最大测量误差分别为±150微米和±300微米；±1200微米和±1500微米。由于横向光电效应PSD测量的精密度偏低，所以有必要在使用之前做偏差校正。在实践中，一些方法已经在校准过程中使用，如有二次线性和二次非线性插值方式，以及神经网络和共轭梯度算法，然而这些方法只能用于一个给定的设备和不能被应用到其他的设备，且用起来需要一一校正，相当浪费时间。 当我们使用PSD时，信号处理电路必须使用，因为PSD的输出是具有与事件点的位置有一定关系的几个电流信号。该处理器不仅转换输出电流和电压，而且还计算出这些电压信号的位置信息。计算包括加法，减法，乘法和除法，因此模拟和数字处理器则根据不同的加工方法计算。在模拟处理器，加法和减法的计算是由运算放大器实现，乘法和除法是通过模拟计算单元实现。由于较少的生产和价格高的原因，有些模拟处理器就使用的模拟乘法装置来以取代ACU， 然而这样却使得该电路变得更复杂和不太精确。而在数字处理器中，模拟/数字转换器用来处理数字化的输出信号，单片机实现其计算，与模拟处理器相比，数字处理器不仅价格便宜，而且有更高的计算精度和更普遍的应用程序。 这篇文章中，旨于理论分析与计算横向光电效应PSD固有的非线性输出特性，根据当前位置的关系，我们修改了常用的当前位置近似方程，开发了一个程序和嵌入到一个单片机中实现一个新的横向光电效应PSD数字处理器的非线性修正算法，与传统的处理器相比，新的处理器可以提高横向光电效应PSD的线性度，以及显著降低了位置测量偏差。关键的是，因为这种方法校正了位置流动的固有近似关系，且同于其他特定PSD的非线性修正方法，也使得新的处理器适合于各种大小不同的横向光电效应PSD。 本文主要部分：一，新处理器的硬件设计分三个方面；首先，理论方法的提出，其次，计算横线光电效应PSD的当前位置关系，最后，提出在处理器的软件设计来实现校正非线性的方法。二，比较横向光电效应PSD传统的处理方法和新的信号处理方法之间的测试结果。三，对此新类型信号处理器的特性进行了总结。 2 硬件系统设计 如图1横向光电效应PSD的处理器的硬件框图。首先四个薄弱的PSD输出电流信号（I1—I4）由电流 - 电压转换器，即I/ V转换器，它与反馈电阻由运算放大器（OAS）（如LF411）（Rf=100 KΩ）转换为电压信号，然后信号被由一个高精度，低漂移的运算放大器A放大到A/D转换器要求的范围内。A/D转换器（ICL7135或AD574），由模拟开关控制器的控制，将信号逐一依次转换成数字信号