场效应管工作原理与应用课件演示课件.pptVIP

数学模型： 此时 MOS 管可看成阻值受 VGS 控制的线性电阻器： VDS 很小 MOS 管工作在非饱区时，ID 与 VDS 之间呈线性关系： 其中，W、l 为沟道的宽度和长度。 COX (= ? / ?OX) 为单位面积的栅极电容量。 注意：非饱和区相当于三极管的饱和区。 * .. 饱和区 特点： 　　ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关，表现出类似三极管的正向受控作用。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 3.5 V 4 V 4.5 V 沟道预夹断后对应的工作区。 条件： VGS VGS(th) V DS VGS – VGS(th) 　　考虑到沟道长度调制效应，输出特性曲线随 VDS 的增加略有上翘。 注意：饱和区(又称有源区)对应三极管的放大区。 * .. 数学模型： 若考虑沟道长度调制效应，则 ID 的修正方程： 　　工作在饱和区时，MOS 管的正向受控作用，服从平方律关系式： 其中，? 称沟道长度调制系数，其值与 l 有关。 通常 ? = (0.005 ~ 0.03 )V-1 * .. 截止区 特点： 相当于 MOS 管三个电极断开。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 3.5 V 4 V 4.5 V 沟道未形成时的工作区 条件： VGS VGS(th) ID = 0 以下的工作区域。 IG ? 0，ID ? 0 击穿区 VDS 增大到一定值时?漏衬 PN 结雪崩击穿 ? ID 剧增。 VDS?? 沟道 l ? ? 对于 l 较小的 MOS 管 ? 穿通击穿。 * .. 　　由于 MOS 管 COX 很小，因此当带电物体(或人)靠近金属栅极时，感生电荷在 SiO2 绝缘层中将产生很大的电压 VGS(= Q /COX)，使绝缘层击穿，造成 MOS 管永久性损坏。 MOS 管保护措施： 分立的 MOS 管：各极引线短接、烙铁外壳接地。 MOS 集成电路： T D2 D1 D1 D2 一方面限制 VGS 间最大电压，同时对感 生电荷起旁路作用。 * .. NEMOS 管转移特性曲线 VGS(th) = 3V VDS = 5 V 　　转移特性曲线反映 VDS 为常数时，VGS 对 ID 的控制作用，可由输出特性转换得到。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 3.5 V 4 V 4.5 V VDS = 5 V ID/mA VGS /V O 1 2 3 4 5 　　转移特性曲线中，ID = 0 时对应的 VGS 值，即开启电压 VGS(th) 。 * .. 衬底效应 　　集成电路中，许多 MOS 管做在同一衬底上，为保证 U 与 S、D 之间 PN 结反偏，衬底应接电路最低电位(N 沟道)或最高电位(P 沟道)。 若| VUS | ? ? - + VUS 耗尽层中负离子数? 因 VGS 不变(G 极正电荷量不变)? ID ? VUS = 0 ID/mA VGS /V O -2V -4V 根据衬底电压对 ID 的控制作用，又称 U 极为背栅极。 P P + N + N + S G D U VDS VGS - + - + 阻挡层宽度? ? 表面层中电子数? ? * .. P 沟道 EMOS 管 + - VGS VDS + - S G U D N N + P + S G D U P + N 沟道 EMOS 管与 P 沟道 EMOS 管工作原理相似。 即 VDS 0 、VGS 0 外加电压极性相反、电流 ID 流向相反。 不同之处： 电路符号中的箭头方向相反。 ID * .. 3.1.2　耗尽型 MOS 场效应管 S G U D ID S G U D ID P P + N + S G D U N + N 沟道DMOS N N + P + S G D U P + P 沟道DMOS DMOS 管结构 VGS = 0 时，导电沟道已存在 沟道线是实线 * .. NDMOS 管伏安特性 ID/mA VDS /V O VDS = VGS –VGS(th) VGS = 1 V -1. 5 V - 1 V -0. 5 V 0 V 0. 5 V -1. 8 V ID/mA VGS /V O VGS(th) VDS 0，VGS 正、负、零均可。 外部工作条件： DMOS 管在饱和区与非饱和区的 ID 表达式与 EMOS管 相同。 PDMOS 与 NDMOS 的差别仅在于电压极性与电流方向相反。 * .. 3.1.3　四种 MOS 场效应管比较 电路符号及电流流向 S G U D