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第三节 接触效应 一、P-N结 二、金属-半导体结 三、MOS结和MOS晶体管 High-k材料（高介电常数） 而且对于给定的三极管，Ic和Ib保持一定的比例。所以通过改变Ib来控制Ic的目的。这就是三极管放大的实质。 通常改变一点点Ib，Ic就改变很大。我们通常用两者的比值（电流放大系数，一般在10~100左右。）来描述三极管的放大能力。 1. 肖特基势垒 (Schottky barrier) 一个N型半导体与金属相接处，在接触前，半导体的能带是水平的，施主浓度为常数ND，费米能靠近导带底，而且假定半导体的费米能高于金属的费米能： 在两者接触时，电子将从半导体导带流向金属，热平衡时，两者费米能重合。 因此，接触面附近靠半导体一侧形成空间正电荷，在金属表面累积负电荷。这样就会在半导体内形成向上弯曲的能带。半导体中载流子严重耗去的势垒层称为肖特基势垒 (Schottky barrier)，也称为耗尽层。 耗尽层内几乎没有电子，只有带正电的施主离子，此处的泊松方程为： 静电势由下式决定： x=0为金属与半导体的界面， 为耗尽层， xd为半导体内部，x0为金属 上面的方程具有抛物线形式的解： 其中B，C可由边界条件求出。x=0时有： 得到 得到x=d处有 和 得到： 因此得到静电势为： 势垒厚度： 势垒厚度随着施主浓度的增加而减小。但上式只在施主之间的平均距离小于d时才成立，即 比如，金属与N-Ge接触： 得到 它比施主之间的平均距离略大： 对于金属与P型半导体接触，情况完全类似。假定 接触后，空穴从半导体内往金属运动。半导体内出现负电荷(杂质离子)的累积，而在金属表面出现正电荷（空穴）累积。在半导体一侧形成往下弯曲的能带，出现空穴的耗尽层。 空穴耗尽层 电子耗尽层 在金属-半导体结中，半导体耗尽层的化学势始终在带隙中间。电子或者空穴都要克服一个势垒才能通过金属-半导体界面。 如果加上一个偏压，使得半导体的电势相对金属改变±V，则半导体能带相对于金属移动 则肖特基势垒结的I-V曲线就和PN结一样具有整流特性。 2. 金属与半导体的欧姆接触 前面我们假定半导体的费米能高于金属的费米能，但如果金属的费米能高于半导体的，那么金属的电子将流向半导体，形成一个厚度为d的多数载流子聚集区。 热平衡时聚集区的费米能处于导带底以上，电子可以不必克服任何势垒就能在金属和半导体之间相互转移。这种结称为欧姆接触，没有整流作用，IV关系是线性的。 3. 反型层接触 在肖特基势垒中的结论，只有在费米能差较小时才成立： 此时可以假定所有载流子都是从杂质能级激发而来的，只限于研究一种载流子的行为。 如果费米能差的大小可以和Eg相比较时，则原来我们忽略掉的能带（比如N型半导体的价带或者P型半导体的导带）会接近费米能。此时两种载流子都要考虑进来。 N型 P型 EFEi为N型导电 EFEi为P型导电 EF=Ei为本征导电 当 时，xdi的界面层内是P型导电的，在xdi以外是N型导电的。而在x=di时为本征导电。 xdi的这部分界面层称为反型层。具有反型层的接触可以用来作为载流子注入，P型半导体的反型层注入电子，N型半导体的反型层注入空穴。 MOS结指金属-氧化物-半导体结，比如Al-SiO2-Si结 在一块清洁的硅片上先形成一层薄的SiO2层，然后覆盖一层Al来构成。氧化物膜来隔绝金属与半导体。 不加栅压Vg=0时候 SiO2 金属 Vg N-Si 通常在金属膜和Si之间施加一个栅电压，在靠近绝缘层的半导体界面层内，载流子的浓度依赖于外加栅电压。不同的栅电压可以形成载流子的积累层、耗尽层和反型层。 对于N型MOS结，施加一个指向半导体内的正向栅压，半导体内的电子在外场作用下驱向表面，在表面形成电子积累层，形成表面高导电层。 施加反向栅压时，电子被排斥到体内，显示出由电离施主构成的表面空间电荷层，这里几乎没有电子，称为电子的耗尽层。 当反向栅压增大，使得费米能级更靠近表面处的价带顶，此时表面层的空穴浓度大于电子浓度，表面层为空穴导电为主的反型层（P沟道）。 对于P型MOS结 施加反向栅压时，形成表面空穴积累层。 价带顶能级 当施加正向栅压时，形成表面空穴的耗尽层。 当反向栅压足够大，形成电子导电的反型层（N沟道）。 在MOS结的基础上，可以构造MOS晶体管。 上图为一个N沟道MOS晶体管。在P型的MOS结两侧P型Si表面增加两个N型Si区域：源区(S)和漏区(D)。源和漏之间可以加上测量偏压。栅极电压加在金属层上。P型Si衬底接地。 当栅极电压为0时，源和漏是两个背对背的PN结。无论是正或者负偏压，总有一个PN结处于反向偏置状态，S和D之