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本征吸收光的最小光子能量是: 它对应带边电子最小能隙能量的光致跃迁。阀值波长为: 我们把它称为本征光吸收。 考虑对应于Eg的光子的波长大约为 10-4 cm,而布里渊区的尺寸大概是10-8 cm,所以光子的动量远小于布里渊区边界的电子动量,所以上面的动量守恒为: 即在电子跃迁过程中,电子的波矢不变。称为直接跃迁或者竖直跃迁。 能否发生直接跃迁取决于半导体的能带结构。比如InSb和GaAs等直接能隙半导体,导带边和价带边处于同一个k点,所以可以发生直接跃迁。 而对于Si, Ge等,由于导带边和价带边不在同一个k点,则不能发生直接跃迁。 Band structure of GaAs (direct) and Si (indirect) Si 但是如果考虑声子的参与,那么间接带隙的半导体中仍然可以发生光跃迁,只是能量守恒,动量守恒条件有所改变(在跃迁过程中,吸收或者放出一个声子): 其中声子主要提供了跃迁所需的动量,而光子主要提供跃迁的能量。(声子能量一般为0.1eV左右) 这种跃迁称为间接跃迁或者非竖直跃迁。 本征光吸收是测量半导体带隙的最佳方法。它不仅能确定带隙,还能区分是直接能隙还是间接能隙。 在绝对零度,直接能隙半导体的吸收谱的阀值频率即半导体的最小能隙。 而间接带隙半导体,只有当温度高到足以在晶体激发间接跃迁所需的声子时,才可以确定最小能隙。而且由于是间接跃迁,其光吸收强度较弱。 具体计算线性光学性质 二阶非线性光学性质 From SuHuai Wei’s ppt 一般情况下,透明的材料是不导电的(比如金刚石)。但奇怪的是,ITO同时具有透光性和导电性。 透明性好说明ITO的能隙很大(大于可见光的能量),光学实验证明其光学带隙大于3.7eV。 导电性好说明其电子能隙不会很大,XPS实验证明其电子能隙小于3eV。 如何理解ITO即透明又导电的行为?ITO是否是indirect半导体? 五、激子(exciton) 当发生光吸收时,会产生一个导带电子和一个价带空穴。由于它们分别带负电和正电,所以一对电子和空穴可以通过库仑吸引形成一个复合体(束缚态),这种复合体称为激子。 激子本身不携带电荷,可以在晶体中运动。库伦势为: 如果电子和空穴的等能面是球形的,并且是非简并的,那么激子束缚态就归结为一个类氢原子 问题。 以价带顶为能量原点,激子的能级为: 激子的半径为 其中n是主量子数,μ是电子和空穴有效质量的约化质量: 对于Si,取ε=11.8,令n=1,则激子的能级在导带底以下几个meV范围内。而电子和空穴对的平均距离远大于一个点阵常数。这样的激子是弱束缚的,称为莫特激子或者旺尼尔激子,其束缚能在0.01 eV左右。(高介电常数屏蔽了电子-空穴的库伦互作用) 由于存在激子能级,因此激子可以吸收光子变为导带电子和价带空穴,因此在半导体基本吸收边附近会观测到若干激子吸收峰,它对应于主量子数n较小的激子态。下图是氧化亚铜的激子吸收峰。 激子中的电子和空穴可以复合而发光,此时电子落入价带的空穴中,同时放出一个光子。所以激子都有一定寿命,对于半导体中的激子,寿命大概是微秒μs量级。 在低温受强光照时,激子浓度可达1017cm-3,相应的只有激子束缚能为 2 meV,但高浓度的激子将出现激子的凝聚相。这种由电子和空穴组成的等离子体量子液体称为电子-空穴液滴 (electron-hole-droplet)。 电子-空穴液滴比自由激子具有更低的能量,更稳定,因此具有更长的寿命。液滴的寿命大约为40 μs,而在形变的Ge中,寿命可达600 μs。 在液滴中,激子分解为只有电子和空穴构成简并费米气体,具有金属性。液滴中的电子和空穴也会复合发光,它的光谱是位于自由激子发光光谱长波测的宽峰。 Ge在低温下自由激子和电子-空穴液滴的复合辐射普 在分子晶体和离子晶体中,其中的激子半径很小,基本上在同一个原子附近,这种紧束缚的激子称为夫伦克尔激子(Frenkel exciton)。Frenkel激子基本上是单原子的一个激发态,可以在相邻原子上缓慢移动。 由于其库伦作用强,Frenkel激子的束缚能要比旺尼尔激子大,一般在0.1 ~ 1 eV。 金属中价电子从费米海中激发到费米面以外,并在费米球内留下空穴,但由于寿命极短,不能形成激子。 但金属内层电子收到X射线激发产生内层空穴有较长的寿命,能够与激发的电子形成激子。因此X射线吸收边会呈现出奇异特性。 从输运性质来看,半导体的导电率介于10-2 ~ 109 Ωcm之间,带隙在1~3 eV之间。而且它的电阻随着温度降低而增大,金属的电阻随着温度降低而降低。 半导体 金属 半导体的导电性是由于热激发、杂质、点阵缺陷或者标称化学组分的偏
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