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第四节 半导体载流子的输运问题 玻尔兹曼方程基于经典的牛顿力学，采用简单的粒子平均运动来处理输运问题。 玻尔兹曼方程考虑了粒子的速度分布，还可以考虑在外场下，分布函数的变化。 因此对于三维电子气，霍尔电阻应该随着磁场线性增加。 1980年，Klaus von Klitzing在二维电子气中，发现了霍尔电阻会出现了量子化的平台，而且在平台去内，纵向电阻消失，即整数量子霍尔效应。Klitzing 也因此获得了1985年的诺贝尔物理学奖。 四、分数量子霍尔效应 在讨论量子霍尔效应时，还必须考虑适当的无序（杂质或者缺陷）。此时每个明锐的朗道能级展宽到一定的宽度 由于 ，所以这些子带交叠很少，处于子带中心区域的电子态是扩展的，而在两边带尾都是局域态： 现在考虑各个朗道子带中的填充情况。电子的浓度正比于Vg，在某一个Vg下，费米能级位于第n和n+1个朗道子带之间，费米能以下的n个子带全部填满，有： 电子浓度为 其中 是磁通量子。此时费米能附近的电子全为局域电子 而霍尔电导 随着栅压Vg的增大，电子浓度将增大。EF从一个朗道子带向下一个朗道子带过渡，首先是填充的是带尾的局域态。在远未趋于下一个子带之前，扩展态的填充情况不变，仍然有 ， 保持不变。一直到完全越过下一个子带时， 增加一个 可见是 量子化的，等于 整数倍，称为整数量子霍尔效应。 整数量子霍尔效应具有重要的物理意义，实验上通过测量霍尔电导率，可以得到一个绝对电阻的标准： 另外可以用来确定精细结构常数： 可以用来检验量子电动力学理论的正确性。 因此量子霍尔效应无论对于基础研究还是实际应用都是极其重要的。 当温度足够低，磁场足够强时，所有电子都占据到了最低的朗道能级上。此时由于电子电子关联作用，二维电子气有可能打开新的能隙，从而出现新的具有分数填充的量子化平台，这称为分数量子霍尔效应（FQHE）。 FQHE由华人科学家崔琦首先发现，由此也获得了诺贝尔物理学奖。 分数量子霍尔效应的填充因子可以有 2/3, 4/3, 5/3, 2/5 等等。 分数量子霍尔效应必须用电子关联解释。 一、电导率 半导体与金属导电不同之处在于 1. 半导体有两种载流子，电子和空穴同时参与导电。 2. 低掺杂下，载流子浓度低，近似服从波尔兹曼分布。 在缓变得弱外场下，实验证明半导体的电导率满足欧姆定律： 假定电子和空穴在外场下获得平均速度： 比例系数称为载流子的迁移率。电子和空穴的浓度封闭为n和p，电流密度为： 电导率为 电子或者空穴的载流子迁移率都是正的，但通常大小不等，因为两者具有不同的弛豫时间、有效质量。 考虑分布函数f(k,r,t)随时间的变化，一方面系统位置空间的不均匀性和外场的作用导致分布函数的漂移，另一方面，碰撞也可以导致分布函数的变化，这两方面要分开处理： 漂 碰 上式中右边第一项为漂移相，第二项为碰撞项。 在流体连续性方程和弛豫时间近似下，对于定态问题，且不考虑温度差和化学势的差时，我们得到定态玻尔兹曼方程： 其中f和f0分别为非平衡态和平衡态下的波尔兹曼分布函数： 在弱场合各向同性下，得到电导率公式： 与金属不同，这里 不具有函δ数性质。 设电场沿着x方向， 则 在各向同性假设下，有： 速度沿一定方向的分量的平方平均值等于总速度的1/3： 由此得到电导率公式： 其中导带电子的态密度 引入平均弛豫时间，电导率为 使用分部积分法 上式中第一项为0，而积分项为： 于是电子的电导率为 同样空穴的电导率为 总电导率为 电子和空穴的迁移率为： 载流子的迁移率为电子和空穴在单位电场作用下的平均漂移速度。迁移率越高，电导率越大。 graphene: ~ 200,000 cm2/vs 二、霍尔效应 根据两带模型，可以在低场下半导体的霍尔系数： 其中 一般电子的迁移率总是大于空穴的迁移率，b1 2 ( ) 对于N型半导体，np，具有负的霍尔系数。 对于P型半导体，pn，具有正的霍尔系数。 特别地，对于P型半导体，温度很低时，n-0： 随着温度升高，本征激发开始，电子浓度n增加，当 nb2=p时，RH=0。当温度进一步升高，nb2p时，RH0。 因此P型半导体的霍尔系数可以随着温度升高而变号。 但是对于N型半导体却没有这种性质，对于N型半导体，始终满足 在高磁场下，半导体的霍尔系数写为： 因此霍尔系数与载流子浓度成反比。因此半导体具有比金属大的多的霍尔系数。测量半导体的霍尔系数，可以得到载流子的浓度