场效电晶体放大电路.DOCVIP

第九章 場效電晶體放大電路 一、場效電晶體（FET）放大器的基本組態 1. 共源極（Common Source，簡稱CS）：能提供最佳的電壓增益，是應用最廣泛的放大器。（猶如BJT的CE） 2. 共汲極（Common Drain，簡稱CD）：在電壓增益趨近於1的情形下，提供同相輸出。（猶如BJT的CC） 3. 共閘極（Common Gate，簡稱CG）：可在同相情形下提供電壓增益，但很少被採用。（猶如BJT的CB） 4. FET和BJT的特性與參數差異很大，但是若兩者應用到放大器電路上，其目的和結果是相同的。BJT的CE、CC、CB→對應到FET的CS、CD、CG。 二、FET的小訊號參數 1. 諾頓等效電路（將 諾頓等效電路（將id化成gmvgs） R Rin＝∞ → ∴Iin＝0 戴維寧 戴維寧等效電路（將vds化成μvgs） 輸出電流輸出電壓 輸出電流 輸出電壓 對輸出電流 的貢獻 輸入電壓 對輸出電流 的貢獻 id ＝ gm vgs ＋ 3. （1）若vi（交流訊號）不大（數mV），則在工作點附近，可視為近似直線。 Vds＝K（2）交流訊號是在工作點上的微小變化。取id對vgs的變化，也就是小訊號的轉換gm（互導）：即vgs（輸入電壓）微小變化所造成的id（輸出電流）變化量。此變化量可近似 Vds＝K gm＝ 1. 互導 gm Vds＝K（單位： ，姆歐）Vds＝定值V2＝0gm Vds＝K （單位： ，姆歐） Vds＝定值 V2＝0 2. 汲極電阻 rD Vgs＝Kvgs＝定值（單位：Ω，歐姆）V1＝0r Vgs＝K vgs＝定值 （單位：Ω，歐姆） V1＝0 3. （電壓）放大因數 ? （無單位）id＝定值Ids＝KI2＝0 （無單位） id＝定值 Ids＝K I2＝0 ＝ ＝ rD × gm ＝ gm × rD 4. 放大因數 ?（無單位）、互導 gm（姆歐，S）、汲極電阻 rD（歐姆）三個參數的關係： μ＝＝＝ gm × rD μ＝ gm × rD v vds＝K 〈Ex1〉場效應電晶體（FET）互導 gm 的定義為 (A) (B) (C) (D)  vds＝Kvgs vds＝K vgs＝K id＝K 〈Ex2〉FET的三參數?、gm、rD三者的關係為 (A)?＝gm × rD (B)gm＝? × rD (C)rD＝? × gm (D)gm＝ 〈Ex3〉FET的小訊號電路公式為 (A)id＝gmvgs＋ (B)id＝＋rdvgs (C)id＝gmvgs＋ (D)id＝＋rdvgs 二、交流訊號轉移函數gm gm＝（1－）＝gm0（1－） gm0＝＝ 〈pf〉 〈法一〉（1）vGS＝VGS＋vgs id ＝ ＝ ＝ ＝ ＝ 純交流（i d）純直流（I 純交流（i d） 純直流（ID） 二次諧波 （2）取純交流信號： iD ＝ → （3）當VGS＝0時 gm0＝ gm＝gm0（1－） 〈法二〉（1）id ＝ gm＝ ＝（對VGS微分） → ＝ ＝ ＝ （2）當VGS＝0時 gm0＝＝ ∴gm＝gm0（1－） 〈Ex1〉N-JFET，設IDSS＝12mA，VP＝－4V，則在VGS＝－1.5V時，該FET的互導gm＝？ 〈Sol〉id ＝ ＝ gm≡＝（對VGS微分） ＝ ＝ 代入數值： ＝6(mA/V)×0.625 ＝3.75 (m A/V) 一、共源極（CS）放大電路 1、唯一反相放大者。 2、輸入：G，輸出：D，共同接地：S。 3、（1）未接源極電阻RS 整型 整型 電壓源短路 電容短路 eq \o\ac(○,1) Zi＝ RG //∞ ≒ RG eq \o\ac(○,2) Zo＝ rd //RD eq \o\ac(○,3)電壓增益Av 〈法一〉沒有源極電阻RS→以諾頓等效電路來求，比較簡單： ﹙i﹚Vi＝vgs ﹙ii﹚Vo＝vds＝－ gmvgs ×（rd // RD） ﹙iii﹚Av＝＝－﹙CS唯一反相﹚ ＝－ gm（rd // RD） ﹙iv﹚若rd RD，則Av＝－gmRD 〈法二〉以戴維寧等效電路來求： 分壓定理=Vo 分壓定理=Vo CS唯一反相 ﹙i﹚Av＝ ＝ ＝－gm（rd//RD） ﹙ii﹚與諾頓等效電路所求的結果一樣，但較繁雜，∴源極未接RS→以諾頓等效電路來求，比較簡單。 （2）未接RS，接負載RL 整型 整型 eq \o\ac(○,1) Zi＝ RG eq \o\ac(○,2) Zo＝ rd // RD // RL eq \o\ac(○,3) Av＝ （3）接源極電阻RS 整型 整型