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分析影响IGBT驱动电路性能参数的因素 ???? 摘要：实现了一种全集成可变带宽中频宽带低通滤波器，讨论分析了跨导放大器-电容(OTA—C)连续时间型滤波器的结构、设计和具体实现，使用外部可编程电路对所设计滤波器带宽进行控制，并利用ADS软件进行电路设计和仿真验证。仿真结果表明，该滤波器带宽的可调范围为1～26 MHz，阻带抑制率大于35 dB，带内波纹小于0．5 dB，采用1．8 V电源，TSMC 0．18μm CMOS工艺库仿真，功耗小于21 mW，频响曲线接近理想状态。关键词：Butte ? 0 引言 IGBT 即绝缘门极双极型晶体管( IsolatedGate Bipolar Transistor)， 这是八十年代末九十年代初迅速发展起来的一种新型复合器件。由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身， 具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动(MOSFET的优点)， 同时通态压降较低， 可以向高电压、大电流方向发展(GTR的优点)。因此， IGBT发展很快， 特别是在开关频率大于1kHz， 功率大于5kW的应用场合具有很大优势。在全桥逆变电路中， IGBT是核心器件， 它可在高压下导通， 并在大电流下关断， 故在硬开关桥式电路中， 功率器件IGBT能否正确可靠地使用起着至关重要的作用。驱动电路就是将控制电路输出的PWM信号进行功率放大， 以满足驱动IGBT的要求， 所以， 驱动电路设计的是否合理直接关系到IGBT的安全、可靠使用。为了确保驱动电路设计的合理性， 使用时必须分析驱动电路中的参数。 1 栅极电阻和分布参数分析 IGBT在全桥电路工作时的模型如图1所示。 RG+Rg是IGBT的栅极电阻， L01、L02、L03是杂散电感(分布电感)， Cgc、Cge、Cce是IGBT的极间电容， U1是驱动控制信号， U2为母线电压。 图1 IGBT的全桥模型 1.1 IGBT的导通初态 二极管D1导通时， 若Uge为所加的反向电压值(可记为-Ug2， 正向电压记为+Ug1)， 集电极电流iC=0， Uce=U2。开通后， U1向Cgc、Cge充电， 此时Uge可写成： 其中时间常数τi= (Rg+RG) (Cge+Cgc)， 只有Uge上升至门槛电压Uge (th)后， IGBT才会导通。从上述公式可以看出， Uge的上升速度是和时间常数成反比的， 即栅极电阻和输入电容越大， 上升速度越慢， IGBT开通的时间就越长。 1.2 IGBT的关断初态 若Q1处于全导通状态， 二极管D1处于截止状态， 二极管中的电流为0， Uce为IGBT管压降，Uge=Ug1， 输入电压由Ug1变为-Ug2， Cge和Cgc被反向充电， uge下降， 此时uge可表示为： 其中τi＝ (Rg+RG) (Cge+Cgc) 上式表明， τi越大， 关断延迟时间越长。 1.3 导通至关断的过程 IGBT在开关过程中， 可能会有电压或电流的突变， 这将引起器件上电压或电流尖峰的产生以及高频谐波振铃。这一现象有两个不利点： 一是会产生电磁干扰， 二是会增加器件的应力。通常采取的应对措施是用缓冲吸收回路来抑制开关过程的突变。下面会分析一下电路中产生电压或电流尖峰的原因。 首先是导通至关断过程中的杂散电感极性会发生变化， IGBT极间电容在IGBT关断时， 也会反向放电。 其次， 二极管D1导通时， 相应的D1中的电流iD1会上升。为了维持原先的电流， 储存在L02中的磁能将释放出来， L02的端电压反向， 该电压将使IGBT产生关断过电压， 即在CE两端产生电压尖峰。如果杂散电感L02足够小， CE端电压的尖峰只等于IGBT的管压降(2V左右)。但由于CE端产生了电压尖峰， 故使集电极电流iC有了一个负向的尖峰。 另外， 开通过程中， 由于二极管D1的反向恢复电流IRM将叠加在集电极电流iC上， 这也会使IGBT实际流过的电流存在一个尖峰， 这一尖峰可通过串联在回路中的电阻上的电压波形观察。 2 实验设计及结果分析 图2所示为本实验的电路连接图， 其中R1取5Ω～20Ω； C1 取10000pF ～40000pF； R2 取20Ω～50Ω； C2是电解电容， 取值为1000μF～3000μF；C3是薄膜电容， 取值1.5μF； U是直流电压源， 电压为10V～100V。实验时， 可通过改变R1、R2、C1、C2和U的大小来观察各部分波形的变化， 以分析各个参数对整个电路的影响。其实验时测试的波形如图3所示。通过观察和分析实验波形的变化， 可以得出以下结论： 图2 实验电路连接图 (a) GE端电压波形 (b) CE端电压波形 (c) 电源端夹杂交流电压波形 (d) 集电极电流波形 图3 实验测试波形图 在输入端增大串联电阻R1的