集成电路工艺基础培训课件(ppt 52页).pptVIP

离子注入的优缺点 缺点： 产生的晶格损伤不易消除 很难进行很深或很浅的结的注入 高剂量注入时产率低 设备价格昂贵（约200万美金） 4.1 核碰撞和电子碰撞 高能离子进入靶后，不断与靶中原子核和电子发生碰撞，在碰撞时，注入离子的运动方向发生偏转并损失能量，因此具有一定初始能量的离子注射进靶中后，将走过一个非常曲折的道路，最后在靶中某一点停止下来 核碰撞和电子碰撞 注入离子在靶内能量损失方式 核碰撞 (注入离子与靶内原子核间的碰撞） 质量为同一数量级，故碰撞后注入离子会发生大角度的散射，失去一定的能量。靶原子也因碰撞而获得能量，如果获得的能量大于原子束缚能，就会离开原来所在晶格位置，进入晶格间隙，并留下一个空位，形成缺陷。 核碰撞和电子碰撞 注入离子在靶内能量损失方式 电子碰撞(注入离子与靶原子周围电子云的碰撞） 能瞬时形成电子-空穴对 两者质量相差大，碰撞后注入离子的能量损失很小，散射角度也小，虽然经过多次散射，注入离子运动方向基本不变。电子则被激发至更高的能级（激发）或脱离原子（电离）。 核碰撞和电子碰撞 核阻止本领说明注入离子在靶内能量损失的具体情况，一个注入离子在其运动路程上任一点x处的能量为E，则核阻止本领定义为： 电子阻止本领定义为： 核碰撞和电子碰撞 在单位距离上，由于核碰撞和电子碰撞，注入离子所损失的能量则为： 注入离子在靶内运动的总路程 低能量时，核阻止本领随能量的增加而线性增加，Sn(E)会在某一中等能量时达到最大值。 高能量时，由于高速粒子没有足够的时间和靶原子进行有效的能量交换，所以Sn(E)变小。 核阻止本领 电子阻止本领 电子阻止本领同注入离子的速度成正比，即与注入离子能量的平方根成正比。 V 为注入离子速度，Ke 与注入离子和靶的原子序数、质量有微弱关系，粗略估计时，可近似为常数 核碰撞和电子碰撞 不同能区的能量损失形式 低能区：以核碰撞为主 中能区：核碰撞、电子碰撞持平 高能区：以电子碰撞为主 4.2 注入离子在无定形靶中的分布 一个离子在停止前所经过的总路程，称为射程R R在入射轴方向上的投影称为投影射程Xp R在垂直入射方向的投影称为射程横向分量Xt 平均投影射程Rp：所有入射离子的投影射程的平均值 标准偏差： 注入离子在无定形靶中的分布 对于无定形靶（SiO2、Si3N4、光刻胶等），注入离子的纵向分布可用高斯函数表示： 其中： 注入离子在无定形靶中的分布 横向分布（高斯分布） 入射离子在垂直入射方向平面内的杂质分布 横向渗透远小于热扩散 高斯分布只在峰值附近与实际分布符合较好。 轻离子/重离子入射对高斯分布的影响 实践中，用高斯分布快速估算注入离子在靶材料中的分布。 注入离子在无定形靶中的分布 随能量增加，投影射程增加 能量一定时，轻离子比重离子的射程深。 射程与能量的关系 注入离子在无定形靶中的分布 以上讨论的是无定形靶的情形。 无定形材料中原子排列无序，靶对入射离子的阻止作用是各向同性的 一定能量的离子沿不同方向射入靶中将会得到相同的平均射程。 实际的硅片——单晶 在单晶靶中，原子是按一定规律周期地重复排列，而且晶格具有一定的对称性。 靶对入射离子的阻止作用将不是各向同性的，而与晶体取向有关。 **离子注入的沟道效应 **离子注入的沟道效应 **离子注入的沟道效应 定义：当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动。沟道离子唯一的能量损失机制是电子阻止，因此注入离子的能量损失率就很低，故注入深度较大。 离子方向=沟道方向时………离子因为没有碰到晶格而长驱直入……… 效果：在不应该存在杂质的深度发现杂质——多出了一个峰！ 射程分布与注入方向的关系 怎么解决？？？ 倾斜样品表面，晶体的主轴方向偏离注入方向，典型值为7°。 先重轰击晶格表面，形成无定型层 表面长二氧化硅薄层 怎么解决？？？ 浅结的形成 为了抑制MOS晶体管的穿通电流和减小器件的短沟效应，要求减小CMOS的源/漏结的结深 形成硼的浅结较困难，目前采用的方法： 硼质量较轻，投影射程深，故采用BF2分子注入法 F的电活性、B的扩散系数高 B被偏转进入主晶轴的几率大 降低注入离子的能量形成浅结 低能下沟道效应比较明显，且离子的稳定向较差。 预先非晶化 注B之前，先用重离子高剂量注入，使硅表面变为非晶的表面层。 注入后发生了什么……… 晶格损伤和无定型层 靶原子在碰撞过程中，获得能量，离开晶格位置，进入间隙，形成间隙－空位缺陷对； 脱离晶格位置的靶原子与其它靶原子碰撞，也可使得被碰靶原子脱离晶格位置。 缺陷的存在使得半导体中载流子的迁移率下降，少子寿命缩短，影响器件性能。 杂质未激活 在注入的离子中，只有少量的离子处在电激活的晶格位置。 注入损伤 级联碰撞？