第七章_金属半导体接触e.pptVIP

第七章 金属和半导体的接触 若WmWs 金属与n型半导体接触时 2、金属半导体接触整流理论 （1）阻挡层的整流作用 以n型半导体为例： 接触电势差VS0 势垒高度qVD=-qVs 外加一个正电压V0 则势垒高度降低为qVD，=-q(Vs+V) 外加一个负电压V0 ，势垒高度增加。 （2）理论解释 ①扩散理论 对于n型阻挡层，当势垒的宽度远大于电子平均自由程，电子通过势垒区发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。 扩散理论适用于厚阻挡层。 计算通过势垒的电流时， 必须同时考虑漂移和扩散运动。 势垒区的电势分布是比较复杂的,当势垒高度远大于k0T时，势垒区可近似为一个耗尽层。 ②热电子发射理论 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度时，势垒的高度起绝对作用。 电流的计算归结为计算超越势垒的载流子数目。 ③镜像力和隧道效应的影响 镜像力的影响 隧道效应的影响 ④肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管： 利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管。 肖特基势垒二极管与pn结二极管的区别： （1）多数载流子器件和少数载流子器件 （2）无电荷存贮效应和有电荷存贮效应 （3）高频特性好。 （4）正向导通电压小。 3.1 少数载流子的注入 3.2 欧姆接触 定义：不产生明显的附加阻抗，不会使半导体内部载流子浓度发生显著改变。 技术路