HMQR-R-015B(人工检查版图清单).doc

PAGE 格式编号：HMQR-R-015B 第 PAGE 1页 共4页 PAGE １０ 无锡市芯丰半导体有限公司 人工检查版图清单 项目名称 检 查 人 检查结论 项目组长 检查日期 检查项目 结果 项 目 清 单 原 因 1 、压焊点的检查 □压焊点的分布满足封装要求 □钝化孔的位置与对应管脚顺序是正确的 □钝化孔大于85μm×85μm □钝化孔的中心间距大于135μm □输入电阻条宽大于10μm □压点下面有阱 □压点下面有多晶 □压点下面的多晶与AL之间有接触孔 □压点下面的多晶与AL之间接触孔小于5μm×5μm □压点根部引出线宽度≥25μ □压点根部引出线与多晶或扩散区连接时，接触孔面积和≥30μ2 □压点与有效图形之间的间距大于15μm 2、ESD保护的检查 □保护电路有保护二极管 □保护二极管面积≥600μ2，且尽可能大（在频率许可时） □保护二极管采用多孔接触 □保护二极管的同类接触孔到PN结的距离一致 □保护电路有MOS保护管 □保护电路有场开启保护管 □MOS输出管的漏区面积≥600μ2，且尽可能大（在频率许可时） □采用双环保护，保护环直接与A1接触，并有足够接触孔 □用于保护的MOS管漏加有阱 □MOS输出管、MOS保护管的同类接触孔到栅的距离一致 □MOS保护管N管栅接地；P管栅接电源 □MOS保护管的宽长比大于150/1 检查说明：在完成DRC、ERC和LVS后，进行上述人工检查。如果小项检查结果是合题意的，请在小方框内打上“√”，不合题意的，请在小方框内打上“×”，并在条款后注明原因或结果，与芯片无关的，请在小方框内画“/”。大项检查结果则分别用“√”、“×”、“/” 表示合格、不合格、无关。  检查项目 结果 项 目 清 单 原 因 3、电容的检查 电路选用的电容结构：□P型电容；□N型电容；□MOS电容；□多晶1与多晶2电容；□其他 □P型电容或N型电容的下极版（有源区）有正确的注入层 □P型电容或N型电容的二个电极（多晶区和扩散区）连接正确 □若电容有一电极直接接电源时，极性连接正确 □若电容有一电极直接接地时，极性连接正确 4、电阻检查 □电阻选用N+电阻，并在P型衬底上或P阱中 □电阻选用P+电阻，并在N型衬底上或N阱中 □电阻选用多晶电阻 □电阻选用阱电阻，阱电阻通过有源区同A1连接 □电阻选用阱电阻，P阱电阻用P型有源区连接，N阱电阻用N型有源区连接 □电阻不是夹层电阻，阱电阻上无扩散区 □已考虑了场注入对阱电阻的影响 5、抗光照检查 □阱电阻上加有铝复盖 □在模拟电路栅极上加有铝复盖 □在漏电流敏感的结区加有铝复盖 6、抗噪音检查 □数字电路与模拟电路中间有间隔 □模拟电路之间有间隔 □有驱动要求的信号线已加宽 □在输入端口增加了延迟或去抖动电路 □已调整了晶体管的W/L，使噪音容限提高 □把大电流缓冲级的电源线单独分开 □高频信号线由Vss或Vdd与其他信号线隔开 □驱动电感与电容的输出级的电源线和输出线远离其他信号线 □驱动电感与电容的输出级的电源线和输出线不与其他信号线交叉 □驱动电感与电容的输出级的电源线和输出线与其他信号线之间已用Vss或Vdd隔开  检查项目 结果 项 目 清 单 原 因 7、检查电源线与地线（VSS） □数字部分与模拟部分用的电源线和地线分开压焊 □电源线及地线没有被隔断，没有用其他层连接 □电源线及地线未隔断，并采用其他层连接时，接触孔已足够多 □电源线为鱼脊骨形状分布 □多电源时（例如Vcc、VEE、VGG等），Vcc和VSS优先通过交叉 □电源线和地线宽度尽可能宽，宽度至少大于2倍信号线宽度（含间距） □电源线与地线宽度由通过电流大小来决定，一般为5-8μ宽，大电流处已加宽 □宽的电源线和地线的铝条上开有隙缝 8、检查阱和衬底偏置 □在版图的每个单元中都有阱偏置和衬底偏置 □在640μm2面积内必须有衬底或阱偏置 9、走线过“地道”的检查 A 铝栅工艺（P阱） □与电源连接的“通道”是N+，而不是P+ □与电源连接的N+“通道”电阻尽可能小 B 硅栅工艺 □阱内仅使用多晶作“通道” □阱外仅使用多晶作“通道” □没有采用有源区通道 □输出管和压点间的“通道”电阻尽可能小 10、耗尽注入检查 □作逻辑电路用的耗尽管，已由LVS检查过 □作连线用的耗尽管的电阻值要尽可能小 □除电容区和耗尽区有注入外，没有出现其他不需要的注入区 11、正向PN结检查 □全部用作“地道”接线的扩散区，已避免正向PN结偏置 □M