第八章 基本光刻工艺演示课件.pptVIP

动态喷洒 随着晶园直径越来越大，静态涂胶已不能满足要求，动态喷洒是晶园以500rpm的速度低速旋转，其目的是帮助光刻胶最初的扩散，用这种方法可以用较少量的光刻胶而达到更均匀的光刻胶膜。待扩散后旋转器加速完成最终要求薄而均匀的光刻胶膜。 精品 自动旋转器 自动系统如图所示，包含了晶园表面处理、涂底胶 和涂光刻胶 的全部过程， 标准的系统 配置就是一 条流水线。 精品 第八章 基本光刻工艺流程 光刻的目的和意义第四章已做过简单的描述，这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性。 8.1 简介 光刻工艺首先是 在晶园表面建立尽可 能接近设计规则中所 要求尺寸的图形，其 次是在晶园表面正确 定位图形。 精品 因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一 层之间所要求的正确对准。如 果每一次的定位不准，将会导 致整个电路失效。除了对特征 图形尺寸和图形对准的控制， 在工艺过程中的缺陷水平的控 制也同样是非常重要的。光刻 操作步骤的数目之多和光刻工 艺层的数量之大，所以光刻工 艺是一个主要的缺陷来源。 精品 8.2 光刻蚀工艺概况