亥姆霍兹线圈的测量磁场.pdf

亥姆霍兹线圈的测量磁场 近年来，在科研和工业中，集成霍尔传感器被广泛应用于磁场测量，它测最灵敏度高， 体积小，易于在磁场中的移动和定位。亥姆霍兹线圈磁场实验仪(以下简称磁场实验仪)采用 恒流源产生恒定的磁场，用集成霍尔传感器测量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上各点的磁 感应强度，研究亥姆霍兹线圈的磁场分布。该磁场实验仪具有设计合理，制作精细、造型大 方，操作简便等优点。 （一）实验目的 1.掌握霍尔效应法测量磁场的原理。 2.掌握载流圆线圈的磁场分布。 3.掌握亥姆霍兹线圈的磁场分布。 （二）实验原理 1.载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场 （1）载流圆线圈磁场 一半径为R，通以电流I的圆线圈，轴线上磁场的公式为： 2 μ N IR B 0 0 2 2 3 / 2 2( R ) X + (1) N 式中 0 为圆线圈的匝数，X为轴上某一点到圆心0的距离。 μ π4 ×10 −7 0 H／m，它的分布图如图1所示。 图1单个圆环线圈磁场分布 图2亥姆霍兹线圈磁场分布 N 本实验取 0 =500 匝，I=500mA，R=110mm，圆心 O 处 X=0，可算得圆电流线圈磁感应强 度B=1.43mT。 （2）亥姆霍兹线圈 亥姆霍兹线圈是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈，。两线圈内的电流方向一致，大小 相同。线圈之间距离 d 正好等于圆形线圈的半径 R。这种线圈的特点是能在其公共轴线中点 附近产生较广的均匀磁场区，故在生产和科研中有较大的实用价值，也常用于弱磁场的计量 标准。 设 z 为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点 O 处的距离，则亥姆霍兹线圈轴线上任一点 的磁感应强度为 1 2 2 ⎧⎪⎡ ⎛R ⎞2 ⎤−32 ⎡ 2 ⎛R ⎞2 ⎤−32 ⎫⎪ BNIR μ0 R ⎨+ +⎢ ⎜ + z ⎟+ −⎥ ⎢R ⎜ z ⎟ ⎥ ⎬ 2 ⎪⎩⎢⎣ ⎝2 ⎠ ⎦⎥ ⎢⎣ ⎝2 ⎠ ⎦⎥ ⎭⎪ （2） 而在亥姆霍兹线圈轴线上中心O处磁感应强度B0为 N I 0 μ0 16 =× =× B 1.43 1.431 2.05 mT 2R 3 / 2 5 （3） 2.霍尔效应法测磁场 （1）霍尔效应法测量原理 将通有电流 I 的导体置于磁场中，则在垂直于电流 I 和磁场 B 方向上将产生一个附加电 E V 位差 H 这一现象是霍尔于1879年首先发现，故称霍尔效应。电位差 H 称为霍尔电压。 霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当 带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致左垂直电流和磁场的方向上产 生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。如图6所示，磁场B位于Z的正向， 与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is(称为工作电流)，假设载流