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三极管的开关电路分析(12V—SW)
在这里做个小电路的分析,大家都可能用到,这里把模型分解一下,并介绍一下 计算方法和各个元件的作用。
+ 12V
C1
MCUOutput
MCU
Output
Q1:主开关,主要作用是提供12VSW电流,特点饱和时Vec必须很小,热阻 不能太大。
Q2:副开关,主要作用是旁路Q1,在MCU置高电平时导通,ce拉低使Q1工 作。
R1:保证MCU无输岀的时候电路不工作。
R2:限制电流,给Q2 -个工作电流。
C1:去除干扰,防止Q1意外导通。 下面是这个电路图的等效模型:
转岀电压模壁分析QZrjIbe电流模型
转岀电压模壁
分析QZrjIbe电流模型
然后我们定义一下输岀负载,假设有N个按键开关电路检测电路(Active Low)
+12V SW
MCUInputO
MCU
Input
O
经过以上分析我们可以列出所有公式:
^be_Q2^
R2_Q2 ;
R^CRvdl + Rvd2)
3 3 + g + RM1 + RM2
VBATT
VBATT - %_Q2 - Veb_Ql
I R2
I Vcc ~ %_Q2 Vbe_Q2 | [出 + R—Q2 R2_Q2 J
这个吋候我们可以看出,耍想让这个屯路处于良好的状态,两个开关管必须都处 丁饱和状态,一般要使得开关管饱和,lc/lb必须小于30.
因此我们必须求取方法倍数,其中Q1中的Vbatt和lb和lc同时是正向关系, 必须求取各个参数的偏导求最大的放大系数。
fl(xl,x2,x3,x4,x5,x6,x7,jd8,x9) := Pq^xI,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8,x9)
—fl(xl ,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8,x9)
tnax” if TOC \o 1-5 \h \z dxl 0
tnax” if
UnitsOf fl(xl ,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8,x9) I \dxl )
—fl(xl ,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8,x9)
min if 笠 0
UnitsOf fl(xl ,x2,x3,x4,x5,x6,x7,x8,x9)
(dxl 丿
zero otherwise
” U.ec_Q6”tnin?U.be^Qxtnin11U.ce^Qxmax1“Rl.Qx”
” U.ec_Q6”
tnin
?U.be^Qx
tnin11
U.ce^Qx
max1
“Rl.Qx”
max1
11 mill
HR2.QxM
max”
?max1
非本例,直接替换参数
这样就可以求得此时三极管的状态。
另外一个需要验证的就是温度情况,公式如下:
135K-T窃
: if 0V Batt^ 16V RO
SK-Tg
otherwise
RO
PDj.^1 IB,Vbe,Ic,Vcel := IB Vbe + Ic Vce
Tjnpni ,日址抵,R小:=Ta^; +戸以列工凶
Jpdi0de_Q7_dc := P s s: Dio de Pmax P derate dH if mini Pd_Q7.dcjnx1 纟 P 由Q了_dc
11F ail: Dio de Pmax P derate d11 othetwis e
这个主要是验证散发功率的情况。
计算过程到此并不多了,在实际设计中,每个参数都是比较重要的,特別是在省 电模式下,可能会打开电源后扫描接口电路,因此整个电路的响应时间非常重要。 以后会讨论一下瞬态响应的做法(Laplas变换的应用。)在这里大致可以描述 一下,因为每个电路都有滤波电容,在打开电源的瞬间,所有的电容都需要充电, 因此此时的lc是非常大的,所以电路一时达不到饱和状态。这个参数主要是调 整R2,
R2增大,响应时间长,电路偏置功率小。R2减小,响应时间段,电路偏置功率 大。做个tradeoff即可。
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