材料物理-龙毅版-4-3-电介质-介电击穿.pptxVIP

4.3 介电击穿 ;2;3;4;5;6;电击穿是介质在强电场作用下,?被击发出自由电子而引起;8;3）击穿场强;1）“雪崩”电击穿理论以碰撞电离后自由电子数倍增到一定数值（足以破坏介质绝缘状态）作为电击穿判据。 2）Seitz提出以电子“崩”传递给介质的能量足以破坏介质晶体结构作为击穿判据。;“四十代理论”;在电场、温度等因素作用下，固体电介质因缓慢的化学变化，而引起其电气性能逐渐劣化，最终由绝缘状态突变为良导体状态的过程。;1）直流电压下，?固体电介质因离子电导而发生电解，结果在电极附??形成导电的金属树状物，甚至从一个电极伸展到另一个电极。结果在两电极间构成导电的通路. 2）在电场作用下，固体电介质内部的气泡中，?或不同固体电介质之间的气隙或油隙中，会发生局部放电，造成局部电导增加而出现局部击穿，并逐渐扩展成完全击穿。 ; (1)阳离子-阳离子电导 参加导电的为阳离子。同时电极的Ag+也能参与漏导。最后两种离子在阴极处都被电子中和，形成新物质。 (2)阴离子-阳离子电导 参加导电的既有正离子，也有负离子。它们分别在阴极、阳极被中和，形成新物质。 ;(3)电子-阳离于电导 参加导电的为一种阳离子，还有电子。例如含钛陶瓷，阳离子Ti 4+发生电还原过程 Ti 4+ + e → Ti 3+ (4)电子-阴离子电导 参加导电的为一种阴离子，还有电