课堂课件2-26“模拟电子技术与实践”第2章场效应管放大电路.pptVIP

模拟电子技术与实践 * 第2章 典型放大电路的分析与制作 宁波职业技术学院 《模拟电子技术与实践》 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 学习要点1：场效应管的分类 学习要点2：场效应管符号 学习要点3：各类场效应管的特性曲线 学习要点4：场效应管放大电路的分析 学习要点5：三种场效应管基本放大电路的性能比较 学习要点6：三极管和场效应管基本放大电路比较 （自主学习指导课） 第2章 典型放大电路的分析与制作 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(vGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 本章已经分析了晶体三极管（简称BJT，Bipo1ar Junction Transistor）组成的放大电路，三极管是一种电流控制器件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 附录2： 场效应管放大电路的分析 P沟道 耗尽型 （D型） P沟道 P沟道 N沟道 增强型（E型） N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 学习要点1：场效应管的分类 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 关于的说明： N沟道增强型MOS管，衬底箭头向里。漏、衬底和源、分开，表示零栅压时沟道不通。 表示衬底在内部没有与源极连接。 N沟道耗尽型MOS管。漏、衬底和源不断开表示零栅压时沟道已经连通。 N沟道结型MOS管。没有绝缘层。 如果是P沟道，箭头则向外。 学习要点2：场效应管符号 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 学习要点3：各类场效应管的特性曲线 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 学习要点3：各类场效应管的特性曲线 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 学习要点3：各类场效应管的特性曲线 （1）场效应管放大电路的组态 三种组态： 共源、共漏、共栅 特点： 输入电阻极高， 噪声低，热稳定性好 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 学习要点4：场效应管放大电路的分析 自给偏压电路 +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG RS G S D 栅极电阻 RG 的作用： (1)为栅偏压提供通路 (2)泄放栅极积累电荷 源极电阻 RS 的作用： 提供负栅极偏压 漏极电阻 RD 的作用： 把 iD 的变化变为 uDS 的变化 UGSQ = UGQ – USQ = – IDQRS 直流通路 共源极放大电路 分压式自偏压电路 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 学习要点4：场效应管放大电路的分析 分压式自偏压电路 调整电阻的大小，可获得： UGSQ 0 UGSQ = 0 UGSQ 0 RL +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 RS G S D RG1 RG3 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 学习要点4：场效应管放大电路的分析 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 学习要点4：场效应管放大电路的分析 直流偏置及静态工作点的计算 静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I VS ＝ VG － VGS （饱和区） （2）图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 （2）小信号模型分析 学习要点4：场效应管放大电路的分析 ??0时 高频小信号模型 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 s （3）放大电路的分析 第2章 典型放大电路的分析与制作 附录2： 场效应管放大电路的分析 学习要点4：场效应管放大电路的分析 第