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第25卷 第4期 材 料 科 学 与 工 艺 Vol25 No4
20 17年8月 MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY Aug. 2017
j.issn -
DOI:10.11951/ .1005 0299
移动加热器法晶体生长工艺的研究进展
高 笑,刘俊成,翟慎秋
(山东理工大学 材料科学与工程学院,山东 淄博 255049)
摘 要:移动加热器法被认为是一种切实可行的生长大尺寸、高质量单晶体的方法,它结合了液相外延和区熔提纯的优
点.本文阐述了移动加热器法晶体生长的基本原理、优缺点,综述了相关加热方式、晶体生长过程中的质量输运和热交
换,并探讨了工艺条件(如重力场、磁场、强迫对流等和晶体生长速率)对移动加热器法生长晶体过程与晶体质量的影
响,最后对移动加热器法的发展趋势进行了展望.
关键词:晶体生长工艺;移动加热器法;基本原理;加热方式;工艺条件;生长速率
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中图分类号:O782 文献标志码:A 文章编号:1005 0299(2017)04 0050 07
Reviewon research progress of crystal growth technique with travellingheater
GAO Xiao,LIUJuncheng,ZHAI Shenqiu
(School of Materials Science and Engineering,Shandong University of Technology,Zibo 255049,China)
Abstract:Travelling heater method isknown asthe most effectiveviabletechniqueto grow single crystalswith
large size and high quality single crystals. It combines the advantages of both liquid phase epitaxy and zone
melting purification techniques. This article reviews Tthe fundamentalsbasic principles, advantages and
disadvantages of crystal growth techniquecswith travelling heater were reviewed. The heating method,aswell
as the mass and heat transport duringin the process of crystal growth has been also, was described. The
effectinfluences of the processing parameters, including gravitational field, magnetic field and forced
convection together withaswell as growth rate,on the crystal growth processdure and the crystal ingot quality
has beenwere discussed. Finally And the development trend of this technics iswas prospected.
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