多晶硅薄膜应力特性研究.pdfVIP

　第 20 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 6　 V o l N o 　1999 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June 多晶硅薄膜应力特性研究 张国炳　郝一龙　田大宇　刘诗美　王铁松　武国英 (北京大学微电子学研究所　北京　100871) 摘要　 本文报道了低压化学气相淀积(L PCVD ) 制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火 温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果, 用 、 等技术测量分析了多晶硅膜的微 XRD R ED 结构组成. 结果表明, L PCVD 制备的多晶硅薄膜具有本征压应力, 其内应力受淀积条件、微结 构组成等因素的影响. 采用快速退火(R TA ) 可以使其压应力松弛, 减小其内应力, 并可使其转 变成为本征张应力, 以满足在微机电系统( ) 制备中的要求. M EM S PACC: 6220, 7360F , 6860 1　引言 多晶硅薄膜由于其特有的导电特性和易于实现自对准工艺的优点, 在大规模集成电路 ( ) [ 1 ] VL S I 的制备中有着广泛的应用. 对多晶硅薄膜的导电特性已进行了深入的研究 . 近年 来, 随着集成电路的发展, 特别是微机电系统( ) 的兴起, 多晶硅膜作为 中的 M EM S M EM S 基本结构材料, 其机械特性直接影响着器件的性能和稳定性、可靠性. 在M EM S 应用中要求多晶硅膜本身具有较小的张应力且膜内有小的应力梯度, 如果 多晶硅膜内应力过大, 会使M EM S 结构层形变甚至断裂, 造成器件失效. 所以, 控制制备工 [ 2, 3 ] 艺条件, 使其具有较小的张应力, 成为M EM S 制造工艺中的一个很关键的问题 . 本文对 L PCVD 多晶硅薄膜的应力特性进行了实验研究, 主要包括: 制备工艺条件、退火温度和时 间、掺杂浓度和微结构组成对其应力特性的影响. 实验中采用薄膜全场应力测试系统测量薄 膜的应力, 用X 光衍射(XRD ) 及反射电子衍射(R ED ) 等技术测量分析了多晶硅膜的微结构 组成. 2　实验 2. 1　实验样品制备 ( ) 实验样品采用在N 型 100 单晶硅衬底热生长 300～ 500nm 厚的 SiO 2 膜; 再用低压化 学气相淀积生长多晶硅薄膜, 工艺条件为: 淀积温度分别为 575 ℃和610 ℃, 压力 30Pa , 硅烷 张国炳　男, 1937 年出生, 教授, 从事半导体器件物理及VL S I 和M EM S 中薄膜结构特性及应用研究 郝一龙　男, 1963 年出生, 副研究员, 从事VL S I 多层互连技术及M EM S 器件和制备工艺研究 收到,定稿 464