半导体产业研报整理.docxVIP

【华泰证券：迎接黄金时代，大陆半导体产业狂飙 2016.3.23】 中国证券网消息，武汉新芯将于28日举行东湖存储器项目动工仪式，该项目由国家集成电路产业投资基金（大基金）、湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金、湖北省科技投资集团共同出资建设，项目总投资将达240亿美元。目前方案显示，产品方向为3D NAND，达产时产能为30万片/月。 武汉新芯、同方国芯、兆基科技（合肥尔必达）携手挑起国内IC产业发展大梁，填补最为缺失的Memory领域。全球Memory市场空间巨大，超800亿美元。国内市场更是保持持续高速增长，预计2018年将达到430亿美元。海外巨头三星、美光、SK Hynix完全垄断Memory市场，国内厂商还完全是空白。同方国芯932亿投资建12万片/月存储器晶圆厂，2018年达产；武汉新芯240亿美元建30万片/月NAND Flash晶圆厂，达产时间未知；合肥政府携手尔必达460亿人民币建10万片/月低功耗内存晶圆厂，2018年下半年量产。 【同方国芯】 让我们回顾一下同方国芯此前的公告，拟以27.04元/股的价格，发行股份29.6亿股，募集资金高达800亿，布局Memory产业链。 同方国芯800亿定增将主要包括三个项目，1）存储器工厂项目投资金额达932亿元，其中募投资金投资600亿；2）收购台湾力成25%股权投资金额38亿元，其中募投资金37.9亿元；3）收购台湾南茂25%股权投资金额23.4亿元，来自募投资金23.4亿元；4）对芯片产业链上下游的公司收购投资金额139亿元，其中募投资金139亿元。三个项目合计投资金额高达1,132亿元。 由于公司目前并不具备Nand Flash技术，我们推测项目3对IC产业链上下游公司的收购，将为公司带来Nand Flash相关的技术与专利、制造工艺等，成为整个计划的关键，仍将值得期待。 表格1： 同方国芯定增项目情况 序号 项目 投资总额（万元） 拟投入募集资金净额（万元） 1 存储芯片工厂 9,324,265 6,000,000 2 收购台湾力成25%股权 379,834 379,000 4 收购台湾南茂25%股权 234,134 234,134 3 产业链上下游收购 1,386,866 1,386,866 合计 11,324,345 8,000,000 【储存芯片工厂】 公司将投资新建存储类芯片工厂，工厂实施完成并完全达产后，预计可新增120,000片/月的存储芯片生产产能。预计该项目从项目备案至项目建设完成、试运行并完成验收约需2 年时间。预计项目投产一年后可完全达产，即至项目建设后第四年生产负荷可达100%。 本项目满产后，预计将贡献营业收入354亿元，年均利润为87.2亿元，税后财务内部收益率为17.65%，税后投资回收期6.28 年（含建设期2年）。 工艺节点与芯片成本密切相关。在NOR Flash 领域，目前55nm~58nm 工艺节点的产品已开始大规模商用，45nm 产品也已开始研发。在NAND Flash 领域，目前20/19nm 以上工艺节点是主流的商用制程，未来主流产品将向1Y nm发展。工艺节点由20/19nm转向1Y nm，能使单颗芯片的面积减少约三分之一，从而导致芯片价格大幅降低。在芯片封装工艺上，3D 封装和系统级封装（SiP）在特定领域已开始迅速发展。 【Memory领域】 Memory作为IC领域最重要的一个领域，市场规模巨大，2014年销售收入规模达到了792亿美元，占到整个半导体市场规模的23.6%。 近几年，Memory产品受益于移动智能终端快速渗透，带来对产品需求的高速增长，过去三年复合增长率18%，远高于半导体行业整体7%的增长速度，成为整个半导体产业增长的主要推动力。 未来几年全球Memory市场仍有望保持快速增长。1）个人电脑与手机等移动终端的需求旺盛，拉动了DRAM产值的大幅增加。2）智能手机与固态硬盘（SSD）将成为NAND Flash 最大需求。3）3D NAND Flash成为存储芯片的重要增长点。 存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失，可以分为易失性存储器（Volatile Memory）和非易失性存储器（Non-Volatile Memory），其中DRAM 与NAND Flash 分别为这两类存储器的代表。尽管存储芯片种类众多， 但从产值构成来看，DRAM与NAND Flash已经成为存储芯片产业的主要构成部分。根据IDC 的统计数据，2013 年存储芯片市场规模接近690亿美元，而DRAM和NAND Flash 就占据了约600亿美元，占比超过85%。 图：memory产品分类 【Memory全球：寡头垄断】 Memory领域由于具有极高的技术壁垒和资本壁