电子束光刻的邻近效应及其模拟!.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ !##$ ， ， ， C*1 2’’ B* 2 D/+E/0F !##$ （ ） ###9!5#:!##$:’’ # :#%(9#3 ;.; =?@A.; @ABA.; !!##$ .GH+ 2 =GFI 2 @*J 2 电子束光刻的邻近效应及其模拟! 孙 霞 尤四方 肖 沛 丁泽军 （中国科学技术大学，结构分析重点实验室，物理系，合肥 !##!$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） !##% ! % !##’ ( 用 方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素———邻近效应的影响 分析了入射电 )*+,- ./01* 2 子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响，并与实验结果进行了比较，发现模拟结果 与实验结果符合得很好2 分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大；衬底原子序数越大，衬底越厚， 入射电子束能量越低，邻近效应越大2 关键词：电子束光刻，邻近效应， )*+,- ./01* ： ， ， !## %(# 3%’# 3’4 制，但由于电子在抗蚀剂和衬底中遭受散射，改变了 6 引 言 其运动方向，将会引起另外一个影响分辨率的效应 ———邻近效应2 邻近效应与入射电子束条件、抗蚀剂 半导体微电子工业正按 )**0- 定律，即单位面 和衬底条件都有关联，本文通过)*+,- ./01* 方法模 积硅片上的晶体管集成度以每三年翻两番的速度迅 拟了电子在抗蚀剂和衬底中的散射过程，以及抗蚀 速发展 集成度的不断提高使器件的特征尺寸越来 剂中电子沉积能量的分布，得到了电子曝光后抗蚀 2 ［］ 越细，美国 553 年国家半导体技术指南 指出，到 剂的剖面图，分析了各种初始条件包括入射电子束 年最小线宽要达到 的水平 纳米器件的 形状、能量，抗蚀剂厚度，衬底类型等对电子曝光的 !##5 ’#+7 2 研制成为当前世界科学研究急需解决的问题2 光刻 影响，并与实验结果进行了比较，发现入射电子能量 技术是人类迄今所能达到的精度最高的加工技术， 相同时，具有高斯分布的电子束远比理想电子束的 常规光学光刻技术对微电子工业的迅速发展作出了 曝光范围大，入射电子束能量越低、衬底越厚、衬底 巨大的贡献，每一代集成电路都对应着一代特定的 的原子序数越大2 光刻技术2 尽管如此，常规光学光刻技术由于受瑞利 公式的限制目前正面临严重挑战2 ! 6 邻近效应 与光学光刻相比，电子束光刻的优势是十分明 显的 这是由于电子的波