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薄膜材料磁电阻效应测试仪简介 引言: 用巨磁电阻(GMR 和各向异性磁电阻(AMR 磁性薄膜材料制作的计算 机硬盘读出磁头和各种弱磁传感器, 已经广泛应用于信息技术、 工业控制、 航海 航天导航等高新技术领域。 BKT-1H 薄膜材料磁电阻效应测试仪系统控制主机是 专门为薄膜材料磁电阻测试而设计的,它将多块测量仪表及调节指示集于一体, 将复杂的仪表之间连线化为主机内部的 PCB 板集线控制,将仪表之间信号串扰 和外部共模干扰对信号采集处理的影响降到最低,大大提高了仪器测量的精度。 高精度的数据采集器通过流行的 USB 接口与计算机相连极大地方便了用户的使 用。 薄膜材料磁电阻效应测试仪 一.薄膜材料磁电阻效应测试仪的原理 1. 磁性薄膜的磁电阻效应 磁电阻效应 MR 是指物质在磁场的作用下电阻发生变化的物理现象。 表征磁 电阻效应大小的物理量 MR ,其定义为 00 -M R = = ρρρ ρ ρ? (1 其中 ρ和 0ρ分别表示物质在某一不为零的磁场中和磁场为零时的电阻率。 磁电阻效应按磁电阻值的大小和产生机制的不同可以分为:正常磁电阻效应 (OMR 、各向异性磁电阻效应(AMR 、巨磁电阻效应(GMR 和超巨磁电阻 较硬(CMR 等。 (1 正常磁电阻效应 正常磁电阻效应(OMR 为普遍存在于所有金属中的磁场电阻效应,它由 英国物理学家 W.Thomson 于 1856年发现。其特点是: a. 磁电阻 MR0 b. 各向异性,但 //ρρ⊥ (//ρρ⊥和 分别表示外加磁场忽然电流方向垂直及 平行时的电阻率 c. 当磁场不高时, MR 正比于 2H OMR 来源于磁场对电子的洛仑兹力,该力导致载流体发生偏转或产生螺旋 运动,因而使电阻升高。大部分材料的 OMR 都比较小。 (2 各向异性磁电阻效应 在居里点以下, 铁磁金属的电阻率随电流 I 与磁化强度 M 的相对取向而异, 称为各向异性磁电阻效应。即 //ρρ⊥≠。各向异性磁电阻值通常定义为: //0 -AM R = = ρρρ ρ ρ⊥ ? (2 低温 5K 时, 铁、 钴的各向异性磁电阻值约为 1%, 而坡摸合金 (8119N i Fe 为 15%,室温下坡莫合金的各向异性磁电阻值仍有 2-3%。图 1所示为厚度为 200nm 的 NiFe 单层薄膜的磁电阻变化曲线。 图 1 NiFe单层薄膜的磁电阻变化曲线 (3 磁性金属多层薄膜中的巨磁电阻效应 1986年,德国科学家 P.Grunberg 和法国科学家 A.Fert 制成 Fe/Cr/Fe三层 薄膜和 Fe/Cr超晶格薄膜。其中,每个单层薄膜厚度只有几个纳米。 1988年 Baibich etal 报道:低温下 (T=4K , 外场为 20KOe 时, 用分子外延 (MBE 方法生成 (Fe3.0nm/Cr0.9nm 多层膜中电阻的变化率达 50%. 这种巨大的 磁电阻效应称为巨磁电阻效应,简记为 GMR 。这种效应立即引起了各国科学 家的注意,人们纷纷从理论上和实际上对其加以研究。 Binasch 等人报道了 (Fe2.5nm/Cr1.0nm/Fe25.9nm 三明治结构当 Cr 层厚度合适时, 两 Fe 层 之间存在反铁磁耦合作用。 类似的反铁磁耦合和大的磁电阻效应也在 Co/Ru和 Co/Cr等多层结构中被观察到。 1991年 Dieny B 独辟蹊径,提出铁磁层 /隔离层 /反铁磁层自旋阀结构,并首先在 NiFe/Cu/NiFe/FeMn中发现了一种 低饱和场巨磁电阻效应。 随后, 人们在纳米颗粒膜、 亚稳态合金膜、 氧化膜 及磁隧道结多层膜等材料中也发现了 GMR 效应。目前, GMR 的研究正向物理 学的各个领域渗透,并推动纳米材料科学的进一步发展。 基于 Mott 的二流体模型可以对这种磁电阻进行简单解释。载流子自旋 方向与铁磁层少数自旋子带电子方向平行时, 受到的散射就强, 对应电阻值 大;而自旋方向与铁磁层多数自旋子带电子方向平行时,受到的散射就弱, 对应电阻值小。 当相邻铁磁层反平行时, 在一个铁磁层中受散射较弱的电子 进入另一铁磁层后必定遭受较强的散射, 故从整体上说, 所有电子都遭受较 强的散射,表现为电阻 R H 较大;而当相邻铁磁层磁矩趋于平行时,虽然和 铁磁层少数自旋子带电子的自旋方向平行的电子受到极大的散射, 但是和铁 磁层多数自旋子带电子的自旋方向平行的电子在所有铁磁层中受到的散射 都弱,相当于构成了短路状态,表现为电阻 R L 较小。这两种状态的电阻分 别为: H p H R R R = R +RL L (3 H A p R +RR = 2 L (4 磁电阻为: 2 p Ap H Ap H R -R R -R M R = =R R -R L L ?? ? ?? (5