光纤通信系统 第四章 检测器与光接收机.pptVIP

第四章 检测器与光接收机 光接收机组成框图 把接收到的光发射机发送的携带有信息的光信号转化成相应的电信号并放大、再生恢复原传输的信号。适用于数字系统也适用于模拟系统。 对光检测器的基本要求 1）在系统的工作波长上具有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，能够输出尽可能大的光电流； 2）具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带系统； 3）具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响； 4）具有良好的线性关系，保证信号转换过程中的不失真； 5）具有较小的体积、较长的工作寿命等。 主要内容 一、光检测器原理 二、PIN 三、APD 四、数字光接收机 半导体光检测器 光纤通信用光检测器有PIN和APD。 核心是半导体PN结 以PN结的光电效应为基础 PN结的光电效应 当PN结加反向偏压时，外加电场方向与PN结的内建电场方向一致，势垒加强，在PN结界面附近载流子基本上耗尽形成耗尽区。 当光束入射到PN结上，且光子能量hv大于半导体材料的带隙Eg时，价带电子吸收光子能量跃迁到导带上，形成一个电子空穴对。 在耗尽区，电子在内建电场的作用下向N区漂移，空穴向P区漂移，如果PN结外电路构成回路，就会形成光电流。 当入射光功率变化时，光电流也随之线性变化，从而把光信号转换成电流信号。 光电效应的产生条件 当入射光子能量小于Eg时，不论入射光有多强，光电效应也不会发生，即光电效应必须满足hvEg 截止波长：产生光电效应的入射光的最大波长。lc=hc/Eg Si为材料的光电二极管lc=1.06mm Ge为材料的光电二极管lc=1.60mm 利用光电效应可以制造出简单的PN结光电二极管。但简单结构，无法减低暗电流和提高响应度，器件的稳定度也比较差，实际上不适合做光纤通信的检测器。 PIN光电二极管（P-Intrinsic－N） 设计核心： 1、设计了轻度掺杂或不掺杂的本征半导体。 ①展宽耗尽层，增多了可产生的电载流子的掺杂 ②I层吸收系数小，大幅度提高光电转换效率。 ③将吸收集中在本征区，避免PN结P区吸收光时的慢响应。 2、P区N区为重掺杂，宽度窄，厚度薄。 设计思想： 耗尽区漂移运动快，是光生电流的主要因素；扩散区，场分布趋于零，扩散速度慢。为保证检测器快的响应速度和高的效率，应设法减小零电场P区N区厚度而增加耗尽区厚度，并尽量避免光生电子-空穴对在零电场区里产生 PIN的缺点： ①由于耗尽区加宽接近吸收区，反向偏压又不能很高，使载流子的漂移时间拉长，影响响应速度的进一步提高。 ②光生电流微弱，必须进行多次放大，不可避免引入放大器噪声，从而使接收机信噪比降低。 APD光电二极管 （Avalanche photodiode） 设计思想：改进PIN管，使光生电流在其内部进行放大。 实现方法：增加附加层，应用光生载流子在耗尽层内高电场作用下的高速碰撞电离效应而获得光生电流的雪崩倍增。 目的：使信号功率增加，又在一定范围减小了噪声功率的增加。 APD的雪崩效应 APD的雪崩倍增效应，是在二极管的P-N结上加高反向电压，在结区形成一个强电场；在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到了能量；越过禁带到导带，产生了新的电子—空穴对；新产生的电子—空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子—空穴对……如此循环下去，形成雪崩效应，使光电流在管子内部获得了倍增。 APD就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。 PIN光电检测器的特性 响应波长 响应度 量子效率 响应速度 噪声特性 响应波长 波长响应范围：光检测器只可以对一定波长范围的光信号进行有效的光电转换 上限波长：即截止波长 下限波长：当波长很短时，材料的吸收系数很大。光在半导体材料表层即被吸收殆尽。在表层产生的光生载流子要扩散到耗尽层才能产生光生电流，而在表层为零电场扩散区，扩散速度很慢，在光生载流子还没有到达耗尽层时就大量被复合掉了，使得光电转换效率在波长很短时大大下降。 材料的吸收系数随波长的变化 半导体的吸收作用随波长减小而迅速增强 总结 检测某波长的光时要选择适当材料的光检测器。 材料的带隙决定的截止波长要大于被检测的光波波长，否则材料对光透明，不能进行光电转换。 材料的吸收系数不能太大，以免降低光电转换效率。 Si—PIN光电二极管的波长响应范围为0.5～1mm，Ge—PIN和InGaAs—PIN光电二极管的波长响应范围约为1—1.7mrn。 响应度 描述光检测器能量转换效率的一个参量 Pin为入射到光电二极管上的光功率，Ip为所产生的光电流。它的单位为A/W。 量子效率