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半导体探测器的特点： (1) 能量分辨率最佳； (2) ?射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。 常用半导体探测器有： (1) P-N结型半导体探测器； (2) 锂漂移型半导体探测器； (3) 高纯锗半导体探测器； (一) 半导体作为探测介质的物理性能 1.平均电离能 （w） Si Ge 300oK 3.62eV 77oK 3.76eV 2.96eV 入射粒子在半导体介质中平均产生一对电子空穴需要的能量。 半导体中的平均电离能与入射粒子能量无关。在半导体中消耗能量为E时，产生的载流子数目N为： 2. 载流子的漂移 由于 电子迁移率?n 和 空穴迁移率?p 相近，与气体探测器不同，不存在电子型或空穴型半导体探测器。 对N型半导体，电子的漂移速度为 对P型半导体，空穴的漂移速度为 电场较高时，漂移速度随电场的增加较慢，最后达到载流子的饱和速度～107cm/s。 3. 电阻率与载流子寿命 半导体电阻率： 本征电阻率： 掺杂将大大降低半导体的电阻率，对硅来说掺杂对电阻率的影响比锗显著得多。当半导体材料被冷却到液氮温度时将大大提高电阻率。 载流子寿命?--载流子在俘获以前，可在晶体中自由运动的时间。只有当漂移长度 大于灵敏体积的长度才能保证载流子的有效收集。对高纯度的Si和Ge ?～10-3s，决定了Si和Ge为最实用的半导体材料。 高的电阻率和长的载流子寿命是组成半导体探测器的关键。 (二) P-N结半导体探测器 1、P-N结半导体探测器的工作原理 P-N结区(势垒区)的形成： 　 多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，达 ，远高于本征电阻率。 n-type p-type - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + 2、P-N结半导体探测器的类型 1) 扩散结(Diffused Junction)型探测器 采用扩散工艺——高温扩散或离子注入；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。 2) 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100?g/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。 3.应用 重带电粒子能谱测量-- 谱仪 1.P-N结的构成 采用高纯度的 P型Ge单晶，杂质浓度为 。因为杂质浓度极低，相应的电阻率很高。空间电荷密度很小，P区的耗尽层厚度大。 一般半导体材料杂质浓度为~1015原子/cm3。 电荷分布 （三）高纯锗半导体探测器 1) P区存在空间电荷，HPGe半导体探测器是PN结型探测器。 2) P区为非均匀电场。 3) P区为灵敏体积，其厚度与外加电压有关，一般工作于全耗尽状态。 4) HPGe半导体探测器可在常温下保存，低温下工作。 2.高纯锗半导体探测器特点 1－?0.8mm不锈钢丝；2－玻璃钢支柱；3－活性炭；4－内胆；5－镀铝涤纶薄膜；6－真空室外套；7－多孔套管；8－活性炭；9－导冷棒；10－外壳；11－定位器和套卡；12－前置电极；13－导线螺钉；14－晶体台；15－电极支架；16－下电极；17－晶体；18－屏蔽罩；19－真空罩；20－氟橡胶密封圈；21－真空室外壳；22－液氮注入管道；23－内胆颈管；24－液氮。 HPGe半导体探测器与NaI(Tl)闪烁探测器的 谱的比较 * * * * * * * refractive index 折射率 * 在实际使用中，光电倍增管的稳定性是个重要指标。 * * * * * 第五节 辐射探测及常用辐射探测器 对于辐射是不能感知的，因此人们必须借助于辐射探测器探测各种辐射，给出辐射的类型、强度(数量)、能量及时间等特性。即对辐射进行测量。 辐射探测器的定义：利用辐射在气体、液体或固体中引起的电离、激发效应或其它物理、化学变化进行辐射探测的器件称为辐射探测器。 为什么需要辐射探测器？ 射线与物质相互作用的分类 Charged Particulate Radiations Uncharged Radiations Heavy charged particles Neutrons Fast electrons X-rays and ? rays