西工大cmos实验报告三.docxVIP

实验课3源跟随器、共栅极、共源共栅放大器分析 1、采用NMOS设计源跟随器，其负载为20k的电阻。电源电压3. 3Vo (没有特 别说明时源衬短接) NM0S尺寸(W/L) =50u/0. 5u,对输入执行DC扫描，观察输入输岀的跟随 特性，指出跟随特性较好的输入电压范围。计算并仿真输入输出电压平移大概为 多少？ 将衬底接地，重新执行(1)的分析，其结果有何不同？为什么会有这种变 化？ NM0S衬底接地，对所设计源跟随器进行OP, DC, AC, TRA?(分析仿真，并 对仿真结果进行简要描述。 解：设计的源跟随器如下图所示： ——VDD Vin ——| M1 VOUT 三RS 图I」源跟随器 设计好各参数对输入执行DC扫描，可得仿真波形如下所示:  由图分析可得：跟随特性较好的输入电压范围为0. 7V-4V,电平位移大概为 0. 78V左右。 （2）将衬底接地，对输入重新执行DC扫描，可得仿真波形如下所示: .2012303527I 1 .2012303527 I 1 I I I I I I I 1 I I r 0 500m 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 Voltage X Qin) (VOLTS) 由仿真结果可以看出，当把衬底接地，即考虑体效应（＞ 0 ）时，此时输出对 输入的跟随特性变差了，分析如下： 由式+儿Cox乡（匕-冷-匕丿心=%，可知心随吟H的变化而变化， 又式VTU = %〃0 + 7（ J 20；?+匕〃| - J 2如）,可知VTll随Vsb的变化而变化，而由源跟 随器结构可知f =匕『 匕uJ，IQT，则％就导致输岀电压匕U*，通过以 上分析可知输入输出跟随特性变差。 ⑶将NMOS衬底接地，对设计源跟随器进行OP, DC, AC, TRAN分析仿真, 得到的仿真结果分别如下所示： ①OP, DC分析的仿真图如下: ■X d Voltc? X=0 707z dtlt=-3 76 羽磁XH Y7 / / y / 3 16 Current X=2.55e+000 Current Y=1.50e+000 / Derivative=8.51e-001 \ 1 q 1 / J / / 17 ? 1 1 ? t J 了 f J / * 9 ft ? f I 1 ? ? 8.65e-005, delta=-O. 00243 0.00283, delta=-3.16 1 \ \ .2012303527 3? -1.6m 2? ?1.2m ? 800u 500m ? 0? -2.4m ?1.4m ? 600u ? 400u ? 200u -0 Voltage X Qin) (VOLTS) 2 3 由仿真图可知，取静态工作点为：输出电压为1.5V时，对应的输入屯压为2.55V； 由输出曲线可得出，饱和区范围约为0.7V—4.47Vo ②设AC分析时交流信号的直流偏置为2.55V,执行AC分析仿真如下: .2012303527 ? Mt 1.1 it DO acO: vdb (oui IDO acO: pp (out： Frequency=l . 35?+006, delta=O -179 一??1 — .?M60Tditt=0 ?5 J -180 -178.5 - 79 200x ③设输入正弦信号，幅值5mv,直流偏置2. 55V,频率IK Hz,执行TRAN分析的 仿真如下： 可测得输出最大值匕輕=1.50397 ,最小值匕沽=1.4954V。所以可求得增益为 「册」駕495485,用分贝数表示为： 20*lgAu =20*lg(0.85)?-1.41dB ,与 AC 分析的增益相对应。 2、共栅极电路如下图所示，负载电阻为20k。电源电压3.3V。衬底接地。 ⑴NMOS尺寸(W/L)=5u/0.5u, Vb=1.0V,通过DC和OP分析确定直流工作点。 分别通过AC和TRAN分析得到此共栅极的增益，并与手工计算结果相比较。 图2.1共栅极电路 (2)共源级电路各种参数与上同，这里％是直流为LOV交流为5诃的止弦小信 号，仿真得到其增益并与共栅极增益相比较，对比较结果进行分析。 图2.2共源极电路 手工计算共栅极的输入阻抗，并与仿真结果相比较。 解：(1)①对共栅极电路执行OP、DC分析，得到仿真图如下: 由仿真图观察输入偏置电压，可知饱和区范围为：0V—0.245V,可取静态工作 点为：输入电压为0V时，对应的输出电压为1.29Vo ②设AC分析时交流信号的直流偏置为0V,对共栅极电路执行AC分析仿真如 T： ? 2012303527 Frtqutncy=2.18*006, dtlt=0 DO: acO: vdb (out DO: acO: vdb (out 刁 ■