NBTI北大上课教材.ppt

NBTI的机制 －空穴被吸引到SiO2 /Si界面 －弱化了Si－H键导致键断裂 －氢(H)扩散进入氧化层或者体Si中 如果H进入体Si会钝化硼离子 －留下界面陷阱(Dit) 界面陷阱电荷 类受主：负电荷(平带条件) 类施主：正电荷(反型条件) 阈值电压变化估算 －Nit和Nf ?1010 cm-2；0.1 x 1.0 ?m栅面积(A=10-9 cm2) = 存在10个界面陷阱和10个氧化层陷阱 = ?VT －对tox＝5nm ＝ ?VT ? -5mV ?VT = -50mV(器件失效) ＝ ? Nit=?Nf=1011 cm-2 －对模拟差分电路，一个MOSFET ?VT ? -10mV而另一个?VT ? -25mV，则二者差15mV占VT＝-0.3 V ＝ 5％的不匹配。而高性能模拟器件对要求0.1%到0.01%的不匹配冗余度 反应－扩散模型 －空穴和Si－H键作用 －空穴弱化Si－H键 －升温器件下Si－H键断裂 －初始阶段 Dit产生 取决于 Si－H键断裂速率 －以后 Dit产生 取决于 H扩散速率 反应－扩散模型 氢模型 －氢从Si衬底漂移进入SiO2/Si界面 －靠近或在 SiO2/Si界面处的H0俘获一个空穴 ＝ H+ －H＋断裂Si－H键 ＝ Dit和H2 －一些H＋漂移进入SiO2 ＝ Not 器件影响因素 L依赖关系 长沟：n～2；短沟：n～1 因此长沟退化更严重 ID依赖关系 由于存在n，ID,sat比ID,lin退化更严重 器件影响因素 tox依赖关系 随着尺寸下降，tox?；VG－VT ? 因此同样VT下薄氧化层退化更严重 ?eff依赖关系 同样VT下，tox ?且?Dit? ＝ ?eff ? 因此薄氧化层的迁移率退化更严重 对电路的影响 CMOS反相器的退化 在静态应力过程中，pMOS的NBTI退化起主要作用 对电路的影响 主要出现在负栅偏压的p沟MOSFET上，而正栅压条件下可以忽略 在MOS电路中，最经常出现在p沟MOSFET“高压”反型状态 由于逻辑电路中信号波形畸形导致时序漂移和潜在的电路失效 不同时序路径的非对称退化导致敏感逻辑电路出现无功能现象 ＝ 产品失效 DC与AC应力 －应力产生界面陷阱 －Dit产生 初始由Si－H解析速率决定 后来由氢扩散速率决定 －应力结束氢反向扩散 界面陷阱钝化 －DC：Dit产生 －AC：Dit产生＋钝化 AC应力的退化更小 恢复特性 －应力结束，退化恢复 －足够长时间，退化恢复更彻底 －应力结束和测量直接时间非常关键 阈值电压 漏电流 跨导 界面陷阱 迁移率 恢复特性 －温度依赖关系 －温度越高，恢复越少 氢扩散离SiO2/Si界面越远 如果氢进入到多晶硅中，很难扩散回来 氢的作用 －氢通常用于界面陷阱钝化(~400－450oC，20－30’) －氢存在形式 氢原子H0 氢分子，H2 正氢离子或质子，H+ 羟(基)氢氧基，OH 水合氢,离子，H3O+ 氢氧离子，OH- －据信氢是Si悬挂键的主要钝化元素，在NBTI应力中起主要作用 氮的作用 －氮可以减弱或加剧NBTI －氮增强了NBTI效应 －氮降低了激活能 －氮分布影响碰撞 界面处N越少越好 －等离子氮化工艺令NBTI最小 －热生长氧化层 －NO退火和等离子氮化比较 －减少栅漏电流(同样厚度) －相似的退化规律 － 等离子钝化工艺改善了NBTI － 逻辑和混合信号特性都提高了 氮的作用 氮的作用 氮的作用 Si-SiO2 界面处N2 浓度越高interface: NBTI越显著 Process A Process B Process B Process A Sasaki, EDL 2003 水的作用 －氧化层中的水增强NBTI －观察到潮湿的氧化层中Dit和Qox会增加 －相对于干氧，湿H2－O2生长氧化层表现出的NBTI更严重 －水经常从接触和通空进入到芯片里 － 水和湿气绝大部分会沿着界面传播 － 相对于Si/SiO2界面处，水引发的反应在Si/SiOxNy界面处具有更低的激活能 = 氧化层中存在的水会增强NBTI 氟的作用 －氟改善了NBTI －SiO2/Si界面变得更稳定 －据信氟能够释放SiO2/Si界面存在的应力 氟的作用 －进入到SiO2的氟原子提高了QBD －SIMS和傅立叶变换红外谱 ＝ 应力层位于SiO2 /Si界面附近 －氟减小了Si－O应力键的扭曲 －氟扩散进入栅-氧化层 －释放处的氧原子会再氧化SiO2-Si界面 －形成Si－F代替Si－H键 －Si－F键比Si－H键稳定 氘的作用 －金属退化(~450oC/30分钟)：氢和氘环境 － SiO2 /Si界