印制电路第12章 高密度互连积层多层板工艺.pptVIP

12.4.3 工艺过程 1. 浓硫酸的作用与影响 因为RCC材料不含玻璃纤维，加热的浓硫酸在较强的喷射压力下能较快去除环氧介质，而又省掉去玻璃头的工序。 图12-8 浓硫酸蚀刻后盲孔的显微剖面图 （无机械喷淋条件） 2. 化学镀铜 含盲孔的印制板生产过程需要重点控制的另一个工序为化学镀铜。盲孔孔径小，化学镀铜溶液难以进孔，因此实现盲孔的金属化使层与层之间连通便成为至关重要的工作。 材料类型 铜箔厚度 树脂厚度 板厚孔径比(盲孔) RCC材料 18μm 50μm 100μm 0.34:1 0.5:1 3. 多层盲孔 多层盲孔的制作有几种流程，以1/2/3层盲孔为例（树脂厚度为70μm）。 方法（1）：加工完的内层板（3、4）→外压涂树脂铜箔（2，5）→盲孔图形转移腐蚀铜箔，形成裸窗口→浓硫酸喷射除去环氧介质（70μm）形成盲孔→孔金属化→电镀铜加厚→黑化→压涂树脂铜箔→形成盲孔 12.5 积层多层板工艺制程的实例分析 ALIVIH（任意层内导通孔技术）和B2IT（埋入凸块互连技术）两种工艺方法均不采用“芯板” 用导电胶的方法实现导通，达到甚高密度的互连结构，可以在布线层的任意层位置来形成内层导通孔的、信号传输线路短的积层多层板。 ALIVH （Any Layer Inner Via Hole）积层多层板工艺 ALIVH工艺方法就是采用芳胺纤维无纺布和浸渍高耐热性环氧树脂半固化片，使用紫外激光（Nd：YAG或脉冲震荡的CO2激光）进行微导通孔的加工，微导通孔内再充填导电胶的工艺方法制造积层多层板。 图12-9 积层四层板工艺流程 1. 工艺要点： （1）介质绝缘材料的选择必须满足基板的功能特性要求，具有高的Tg，低的介电常数。 （2）选择与环氧树脂特性相匹配的导电胶。 （3）合理的制作模板网孔尺寸和形状，确保堵塞的导电胶能形成凸出的半圆形状。 （4）合理选择导电胶中金属颗粒以及最佳化树脂体系，以确保形成一种具有低粘度的导电胶对高密度导通孔进行堵塞与实际为“零”收缩材料。 （5）提高表面的平整度，选择好的研磨工艺 2. 实现此种工艺必须解决的技术问题 （1）层间的连接材料选择导电胶，它是不含溶剂而由铜粉、环氧树脂和固化剂混合而成。 （2）内通孔的加工工艺采用脉冲振动型二氧化碳CO2激光加工而成 （3）半固化片是无纺布在耐高温环氧树脂中浸渍而成的基板材料。 3. 与常规多层板加工程序比较 (1)制造工序减少一半（生产六层板工序而言），既适用于多品种小批量也适用于量产化的大生产。 (2)组合简单，因为它的组合全部都由铜箔形成，可制作更高密度电路图形，而且表面平整性好，有助于装联性能的提高。 技术规格 基本尺寸 基板厚度(mm) 内通孔直径(μm) 焊盘直径(μm) 导体最小间宽(μm) 导体最小间隙(μm) 四层0.40；六层0.65 150 360 60 90 表12-11 ALIVH技术规格 ALIVH基本规格和特性 根据所采用器件的特性和封装技术，使用的基材具有低热膨胀系数、低介电常数、耐高温、高刚性和轻量等特征，ALIVH的介电常数、密度和热膨胀系数小，玻璃化温度高。 基于标准型ALIVH结构的设计特征: ·从ALIVH结构分析全层设有IVH（内层导通孔）构造，导通孔设置层无限制； ·从ALIVH结构分析全层均一规格，无其它不同的导通孔种类，与邻近层导通孔的位置无限制； ·导通孔上的焊盘可与元器件安装焊盘共用。 甚高密度ALIVH-B制造工艺 随着电子设备的小型化、轻量化、高性能化，对各种各式封装板的要求也就越加严格。平整度要更高，表面绝缘层厚度更薄。就连基板本身的热膨胀系数也要接近裸芯片的技术要求，使封装元器件的可靠性有了保证。这就是21世纪开发与研制的新工艺—ALIVH－FB。 图12-12 ALIVH－FB制造工艺流程示意图 LOGO 高密度互连积层多层板工艺 现代印制电路原理和工艺 第12章 第12章 高密度互连积层多层板工艺 概述 1 积层多层板用材料 2 积层多层板的关键工艺 3 积层多层板盲孔的制造技术 4 积层多层板工艺制程的实例分析 5 12.1概述 电子产品“轻、薄、短、小”及多功能化的发展 特别是半导体芯片的高集成化与I/O数的迅速增加 高密度安装技术的飞快进步 迫切要求安装基板－PCB成为具有高密度、高精 度、高可靠及低成本要求的，适应高密度互连（HDI）结构的新型PCB产品，而积层多层板（BMU）的出现，完全满足了这些发展和科技进 步的需要。 高密度互连积层多层板具有以下基本特征： 1）微导通孔（包括盲孔、埋孔）的孔径≤φ0.1mm；孔环≤0.25mm；