纳米CMOS技术课件.ppt

尺寸进一步缩小，铜互连面临的挑战 （四）沟道工程 提纲 1.简介 2.与沟道有关的问题 3.解决办法 沟道工程简介 当MOS器件特征尺寸进入深亚微米、纳米领域时，短沟道效应(SCE)、源漏穿通和热载流子效应(HCE)等成为ULSI的严重限制性因素。 为了抑制其影响，需要对沟道内的掺杂分布进行特殊设计。在此情形下，出现了特殊局域化掺杂。 这些对沟道进行的非单一、非均匀化的特殊局域掺杂的杂质分布和结构，一般通称为MOS器件的沟道工程。 同时，相应于器件其他尺寸的减小，为减小SCE效应也必须使用纳米尺寸的超浅结结构。 与沟道有关的问题 1.短沟效应 2.迁移率退化和速度饱和； 3.杂质随机分布的影响； 4.源、漏区串联电阻的影响； 5.有源偏压情况下量子效应； 1.短沟效应 短沟效应指的是随着L的减小和漏极电压的上升而出现的阈值电压下降的现象。 阈值电压的下降是三个因素共同作用的结果： 源漏电荷共享 漏致势垒降低 次表面穿通 源漏电荷共享 源衬、漏衬pn结耗尽区，不需要栅极电压作用在这部分区域，来耗尽可动载流子。 长沟器件中，这两个近似于三角形的区域与整个矩形耗尽区相比可以忽略。 随着沟道长度的缩短，这一部分的作用越来越重要。 源漏电荷共享 由于短沟器件中的源、漏耗尽区提供一部分体电荷，需要栅极电一感应的体电荷总量减少，因此表面反