传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估.pdfVIP

研究与应用 Rωearch and Application [编者按]在普通的 MOSFET 中，由于源极和栅板都露在硅片上表面，蒸铝…金属化后栅极和源 极之间局部被铝短接，如同功率晶闸管中的短路发射极一样，结果在MOSF盯内部形成了 PN 结体二 极管。 MOSF盯由多个元胞组成，这些体二极管就像一系列 P、 N 两层的柱子立在 MOSFET 硅片体内。 该体二极管同 MOSFET 反并联。于是，从事应用的同志就常常问道:体二极管能做 MOSF盯的续流 二极管吗?初期的 MOSFET 制造商给的是否定的回答，因为那时的体二极管不够快，反向恢复太慢， 满足不了续流的要求。在这种应用时，要让 MOSF盯先串联一个低压降的二极管，再在 MOSFET+ 低压降二极管的外面并联一个快速反向恢复的续流二极管。这多麻烦呀!人们期望于把MOSF盯 中的体二极管变成可用的续流二极管。现在飞兆等公司做到了这一点，对 MOSFET 中的体二极管进 行特殊的加工，实现了这个期望。 另一方面，普通 MOSFET 的通态也阻随着耐压的 2.5 次方增大，因此较高电压的硅 MOSF盯的 通态也阻和通态损耗太大了。由此，有人提出了冷 MOS (CoolMOS) 的设想，它是基于超结 (SJ) 的概念。超结 MOSFET 的通态也阻与耐压的一次方成正比，通态压降小得多了。这是一个很大 的进步。但仍存在体二极管不够快的问题。飞兆公司把体二极管快速化的技术引入到超结 MOSFET 的设计和制造中，把二者的优点结合起来，取得了很大进展。本文介绍这项成果。 传统MOSFET 和超结 MOSFET 的 体二极管反向恢复特性评估 P. 舍诺依 s. 合科哈瓦特 B. 勃劳克成 (飞兆半导体公司 芒谭陶浦美国 PA18707 ) 摘要 在许多高电压开关应用当中，都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的 MOSFET。依照超结( S 1)电荷平衡概念所设计的器件ι 飞由于有着比普通MOSFET 低得多的 R dson 而得到普及。然而，普通 SJ 器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较差。 早期的 SJ 器件有着较大的反向恢复电流，并且在某些反向恢复的情况下易于失效。尽管后来它的体二极管 特性有了一定改善，但还是不能像传统 MOSF盯的体二极管那样耐用。我们示出即使施加缓和上 升的 d i/ dt ，普通 SJ 器件的体二极管也还会失效。飞兆 (Fairchild) 公司利用二维数字仿真在 电路和器件混合建模的条件来分析反向恢复瞬态期间在器件的内部发生了什么。这帮助我们理解 失效背后的原因，并且设计出了耐用性更强的 SuperFET™ SJ 器件。反向恢复测量表明，普通 SJ 器件的体二极管在 d i/dt 仅为 100A! μs 的时候就会失效，而 SuperFET™器件几乎是不会破坏的， 它在 di/ dt 为 1000A/μs 时仍能工作。飞兆 (Fairchild) 公司还设计出了带有快速恢复体二极 管的、耐用的 SuperFET™器件，具有较低的 Tπ 和 Qrr o