变频器技术与应用第2章 变频器中的电力电子器件.pptVIP

* 3．GTR 模块 将 GTR管芯、稳定电阻、加速二极管、续流二极管等组装成一个单元，然后根据不同用途将几个单元电路组装在一个外壳之内构成GTR模块。 目前生产的GTR模块可将多达6个互相绝缘的单元电路做在同一模块内，可很方便地组成三相桥式电路。 四、GTR的驱动 1.基极驱动电路一般应有以下基本要求： （1）优化的驱动特性 就是以理想的基极驱动电流波形去控制器件的开关过程，保证较高的开关速度，减少开关损耗。优化的基极驱动电流波形与GTO门极驱动电流波形相似。 （2）驱动电路损耗要小，电路尽可能简单可靠，便于集成。 （3）驱动电路中常要解决控制电路与主电路之间的电气隔离。 （4)驱动电路应有足够的保护功能，防止GTR过流或进入放大区工作。 2．驱动电路的隔离 驱动电路同时要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。光隔离一般采用由发光二极管和光敏晶体管组成的光耦合器。 光耦合器的类型及接法 a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型 2.4 电力场效应晶体管（MOSFET） 电力场效应晶体管Power MOSFET：单极型电压控制型器件。 优点：驱动电路简单、驱动功率小、速度快、工作频率高（它是所有电力电子器件中工作频率最高的）、输入阻抗高、热稳定性好、无二次击穿、安全工作区宽等。 缺点：电流容量小，耐压低，通态电阻大，只适用于中小功率电力电子装置。 应用：在中小功率的高性能开关电源、斩波器、逆变器中，得到了越来越广泛的应用。目前千伏级器件已达20A，其他各种大电流低电压的器件已系列化、模块化。 * * G： 栅极 D： 漏极 S： 源极 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 1．结构： 电力MOSFET是多元集成结构，即一个MOSFET器件实际上是由许多小单元组成。功率场效应晶体管一般为N沟道增强型。 * 2.工作原理 （1）当漏极接正电源，源极接负电源，栅源极间加一正电压UGS，则栅极上的正电压将其下面的P基区中的空穴推开，而将电子吸引到栅极下的P基区的表面，当UGS大于开启电压UT时，栅极下P基区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从而使P型半导体反型成N型半导体，成为反型层，由反型层构成的N沟道使PN结消失，漏极和源极间开始导电。 （2）UGS数值越大，P-MOSFET导电能力越强，ID也就越大。 （3）当漏源间加负电压时，PN结正偏，相当于一个内部二极管，所以MOSFET无反向阻断能力。 内部结构等效图 3.主要参数 （1）漏极击穿电压BUDS : 决定了电力MOSFET的最高工作电压，使用时应注意结温的影响，结温每升高100°C，BUDS约增加10%。 （2）栅源击穿电压BUGS : 造成栅源极之间绝缘层被击穿的电压称栅源击穿电压BUGS。栅源极之间绝缘层很薄，UGS20V就将发生绝缘层击穿。 （3）通态电阻 通态电阻几乎是结温的线性函数。随着结温升高通态电阻增大，也就是通态电阻具有正的温度系数。 （4）最大耗散功率PD 最大耗散功率表示器件所能承受的最大发热功率。 * 4. MOSFET的驱动电路 电力场效应晶体管的输入阻抗很大，故驱动电路可做得很简单，且驱动功率也小。按驱动电路MOSFET栅极的连接方式可分为直接驱动和隔离驱动，隔离驱动常采用脉冲变压器或光耦器件进行隔离。 MOSFET驱动电路的要求： （1）为提高开关速度，要求驱动电路要具有足够高的输出电压、较高的电压上升率和较小的输出电阻。 （2）MOSFET各极间有分布电容，元件在开关过程中要对电容进行充放电，因此在动态驱动时还需一定的栅极驱动功率。 （3）关断瞬间驱动电路最好能提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通。 （4）驱动电路结构简单可靠，损耗小，最好有隔离。 电力MOSFET的一种驱动电路： 无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压 当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压? 电力MOSFET的 一种驱动电路 专为驱动电力MOSFET而设计的还有混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和－3A，输出驱动电压+15V和－10V。 电气工程制图与CAD 变频器技术与应用 Enjoy Study EXIT 电气工程制图与CAD 变频器技术与应用 Enjoy Study EXIT 电气工程制图与CAD 变频器技术与应用 Enjoy Study EXIT * * BACK EXIT 第2章 电力电子器件 Chapter 1 Power Electronic Devices