第八章电子束和离子束加工.ppt

* 在碰撞的过程中，入射离子与原子、分子碰撞进行运动能量交换，可以分为一次碰撞或多次碰撞，一次碰撞可以认为是最简单的直线弹性碰撞，共传递能量可用下式表示 (8-4) 式中 ——传递给原子分子的能量（eV）； ——入射离子的能量(eV)； ——入射离子的质量（g）; ——原子或分子的质量（g）; 由式（(8-4）可知，当 ， 这种情况加工效果最好。 下面通过具体实例加以说明。如氩：40、氪：84、氙：131（原子量），分别对玻璃（SiO2）进行溅射加工，并以Si:28，O2:32形式被去除。由图8.11所示的实验曲线可知，采用Ar加工效果最好，因为Ar的原子量与Si的原子量、O2的原子量比较接近。其溅射率S=（溅射原子＋分子数）/入射离子数，按Ar、Kr、Xe的顺序减低。 此外，由图8.11还可知，入射离子能量在2～5万电子伏左右，达到饱和溅射率。因入射离子能量小于2～5万电子伏时，离子与表面原子、分子以直接弹性碰撞为主，即以溅射去除为主。当能量大于2～5万电子伏时，离子侵入到工件内部，碰撞的几率增加，速度降低，使非弹性碰撞增加，所以溅射率达到饱和状态。实际上增加了离子注入率。 * 8.2.1.2粒子束加工的分类 1）离子刻蚀是能量为0.5～5keV的氩离子轰击工件，将工件表面的原子逐个剥离。如图8.13(a)所示。其实质是一种原子尺度的切削加工，所以又称离子铣削。这是近代发展起来的毫微米加工工艺。 2）离子溅射沉积也是采用能量为0.5～5keV的氩离子，轰击某种材料制成的靶，离子将靶材原子击出，沉积在靶材附近的工件上，使工件表面镀上一层薄膜，如图8.13(b)所示。所以溅射沉积是一种镀膜工艺。 3)离子镀也称离子溅射辅助沉积，是用0.5～5keV的氩离子，在镀膜时，同时轰击靶材和工件表面，如图8.13(c)所示。目的是为了增强膜材与工件基材之间的结合力。也可将靶材高温蒸发，同时进行离子镀。 4)离子注入是采用5～500keV能量的离子束，直接轰击被加工材料，由于离子能量相当大，离子就钻进被加工材料的表面层，如图8.13(d)所示。工件表面层含有注入离子后，就改变了化学成分，从而改变了工件表面层的机械物理性能。根据不同的目的选用不同的注入离子，如磷、硼、碳、氮等。 * 图8.13各类离子束加工示意图 a)离子刻蚀 b)溅射沉积 c)离子镀 d)离子注入 1——离子源 2——吸极（吸收电子，引出离子）3——离子束 4——工件 5——靶材 * 8.2.1.3离子束加工的特点 离子加工技术是作为一种微细加工手段出现，成为制造技术的一个补充，随着微电子工业和微机械的发展获得了成功的应用，其特点如下： 1)控制精确 离子束可通过离子光学系统进行聚焦扫瞄，使微离子束的聚焦光斑直径在1以内进行加工，同时离子束流密度和离子的能量可精确控制，以获得精密的加工效果。例如，控制注入深度和浓度，抛光时可一层一层地将工件表面的原子抛掉，从而加工出无缺陷的光整表面，其精度可控制在亚微米级。 2)对材料的适应性强 离子束加工是依靠离子撞击工件表面的原子而实现的，是一种微观作用，其宏观作用力极小，加工应力、变形也极小，故对脆件、极薄、半导体、高分子等各种材料、低刚度工件进行微细加工。 3)污染少 因为离子束加工是在较高真空中进行的，所以污染少，特别适合易氧化的金属、合金材料及半导体材料的精密加工。但是，要增加抽真空装置，不仅投资费用较大、而且维护也麻烦。 * 8.2.2离子束加工装置 离子束加工装置可分为：离子源系统、真空系统、控制系统、电源系统。其中系离子源统与电子束加工装置不同，其余系统均类似。 离子源(又称离子枪)的作用是产生离子束流。其基本工作原理是将气态原子注入离子室，然后使气体原子经受高频放电、电弧放电、等离子体放电或电子轰击被电离成等离子体，并在电场作用下将正离子从离子源出口引出而成为离子束。根据离子产生的方式和用途离子源有多