电路第 8 章 半导体二极管及应用 1.ppt

P N 正极 负极 外壳 符号： - + VD 定义：用PN结做成的器件就是半导体二极管。 8.2 半导体二极管 结构与符号： 结构： 3、类型 按半导体材料不同，可分为锗二极管和硅二极管； 按照管芯结构不同，可分为点接触型、面接触型 8.2 半导体二极管 4、特性：单向导电性 若 VP VN(UD正向偏置 )，二极管导通 若 VP VN(UD反向偏置 )，二极管截止 图1 图2 8.2 半导体二极管 8.2 半导体二极管 伏安特性曲线 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.7V,锗0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 Is在一定电压 范围内保持 常数。 Is 中等职业教育课程改革国家规划新教材PPT 中等职业教育课程改革国家规划新教材PPT 第八章 半导体二极管及其应用 学习目的： １、了解半导体的基本知识。 ２、理解PN结的形成及特点。 ３、理解二极管的伏安特性及主要参数。 ４、了解二极管的主要应用。 第八章 半导体二极管及其应用 半导体的基本知识 8.1 半导体二极管 8.2 半导体二极管的应用 8.3 半导体：导电性能介于导体与绝缘体之间的物体 8.1 半导体基础 半导体材料：硅（Si）和锗（Ge） Si Si Si Si 硅单晶中的共价健结构 晶体中原子的排列方式 共价健 8.1 半导体基础 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变。 半导体导电特性：热敏性、光敏性、掺杂性 半导体种类：N型半导体和P型半导体 8.1 半导体基础 N型半导体： 在纯净的四价半导体中掺入微量五价元素磷（P）形成的半导体。 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 半导体种类：N型半导体和P型半导体 8.1 半导体基础 P型半导体： 在纯净的四价半导 体中掺入微量三价 元素硼（B）形成 的半导体。 Si Si Si Si B– 硼原子 空穴 PN结定义 8.1 半导体基础 定义：将P型半导体和N型半导体紧密结合在一起 在交界面处会产生一种特殊的导电层。 P N PN结 I I P N 8.1 半导体基础 P N PN结正向导通 PN结反向截止 PN结特性 特性：单向导电性 中等职业教育课程改革国家规划新教材PPT 中等职业教育课程改革国家规划新教材PPT