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当输出电压为9V时，设流过光敏电阻的电流为I3，阻值为R3，则 R3=900Ω 代入γ值的计算公式便可以计算出输出电压为9V时的入射照度E3 E3=196(lx) 演示课件 由γ值的计算公式可以找到500lx时的阻值R4及 三极管的输出电流I4为 R4=214Ω I4=24.7(mA) 而此时的输出电压UO为 UO=Ubb－I4R4=6.7(V) 即，在500lx的照度下恒压偏置电路的输出电压为6.7V。 演示课件 光电子发射探测器 5、设入射到PMT上的最大光通量为φv=12×10-6lm左右，阳极电阻Ra=82kΩ，当采用GDB-235型倍增管为光电探测器，已知它的倍增级数为8级，阴极为SbCs材料，倍增极也为SbCs材料，SK=40μA/lm，若要求入射光通量在6×10-6lm时的输出电压幅度不低于0.2V，试设计该PMT的变换电路。若供电电压的稳定度只能做到0.01%，试问该PMT变换电路输出信号的稳定度最高能达到多少？ 演示课件 解 (1) 首先计算供电电源的电压 根据题目对输出电压幅度的要求和PMT的噪声特性，阳极电流应不小于Iamin，因此 Iamin=UO/Ra=0.2V /82 kΩ=2.439μA 入射光通量为0.6×10-6lm时的阴极电流为 IK= SKφv=40×10-6×0.6×10-6=24×10-6μA 此时，PMT的增益G应为 演示课件 由于 ，N=8，因此，每一级的增益δ=4.227，另外，SbCs倍增极材料的增益δ与极间电压UDD有， ，可以计算出δ=4.227时的极间电压UDD 总电源电压Ubb为 Ubb=（N+1.5）UDD=741V 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 光电技术综合习题解答 一、单项选择题 ① 在光电倍增管中，产生光电效应的是（ ）。 A．阴极 B．阳极 C．二次发射极 D．光窗 ② 光电二极管的工作条件是（ ）。 A．加热 B．加正向偏压 C．加反向偏压 D． 零偏压 演示课件 光电技术综合习题解答 一、单项选择题 ① 在光电倍增管中，产生光电效应的是（A）。 A．阴极 B．阳极 C．二次发射极 D．光窗 ② 光电二极管的工作条件是（C）。 A．加热 B．加正向偏压 C．加反向偏压 D． 零偏压 演示课件 ③ 辐射通量，光通量，发光强度，光照度的单位分别为（ ）。 (A)瓦特，流明，坎德拉，勒克司 (B)瓦特，坎德拉，勒克司，流明 (C)流明，瓦特，瓦特每球面度，瓦特每平方米 (D)流明，瓦特，勒克司，坎德拉 ④ 在入射光辐射下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）。 (A)外光电效应 (B)光热效应 (C)光电导效应 (D)光生伏特效应 演示课件 ③ 辐射通量，光通量，发光强度，光照度的单位分别为（A）。 (A)瓦特，流明，坎德拉，勒克司 (B)瓦特，坎德拉，勒克司，流明 (C)流明，瓦特，瓦特每球面度，瓦特每平方米 (D)流明，瓦特，勒克司，坎德拉 ④ 在入射光辐射下，半导体的电导率增加的现象属于（ C ）。 (A)外光电效应 (B)光热效应 (C)光电导效应 (D)光生伏特效应 演示课件 二 填空题 1 描述光电探测器光电转化能力的是 量子效率 。 2 任何物质，只要温度高于绝对零度，都具有发射辐射的能力。 3 氦氖激光器以 直流 电源驱动。 4 发光二极管是 注入式电致发光器件 器件。 7 光伏器件有光伏工作模式和光导工作模式两种工作模式。 演示课件 三 简答题 1、 掺杂对半导体导电性能的影响是什么？ 答：半导体中不同的掺杂或缺陷都能在禁带中产生附加的能级，价带中的电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁到导带中去，要比电子直接从价带跃迁到导带容易得多。因此虽然只有少量杂质，却会明显地改变导带中的电子和价带中的空穴数目，从而显著地影响半导体的电导率。 演示课件 2、光电倍增管的基本结构与工作原理是什么？ 答：光电倍增管由光入射窗、光电阴极，电子光学输入系统(光电阴极到第一倍增极D1之间的系统)、二次发射倍增系统及阳极等构