材料物理第3章材料的电能资料讲解.pptVIP

当温度降到低于 时，铁磁体(Ni)的电阻比顺磁体(Pd)的下降要激烈.同样可以看到在居里点以前Ni的电阻温度系数不断增大，过了居里点以后则急剧减小。其他铁磁材料也有类似情况。 这种在居里点附近电阻对温度一次导数经过极大值的现象被用来获得电阻温度系数很高的合金。创造 的合金是许多仪器制造中提出的一个迫切课题。 温度对具有磁性转变金属比电阻和电阻温度系数的影响 (a)一般情况；(b)金属镍 压力对材料的性能表现出强烈的影响。由于压力改变着系统的热力学平衡条件，因而也就能够使金属出现新的变体。 一般认为在几百千巴(1巴=1.02大气压=105帕斯卡(Pa))压力下不发生某种相变的物质几乎是没有的。 压力对材料电阻的影响 在压力的作用下，由于传导电子和声子之间相互作用的变化，电子结构以及电子间相互作用发生改变，金属的费米面和能带结构发生变化；在压力的作用下，金属的声子谱照样也要变化.这些因素都导致了出现具有新性能的元素变体，而这些性能是常压下所没有的。 压力对过渡族金属的影响最显著，这些金属的特点是存在着具有能量差别不大的未填满电子的壳层。 因此在压力作用下，过渡族金属电子结构的变化可能容易导致填充程度的其他序列，有可能位外壳层电子转移到未填满的内壳层。这就要表现出性能的变化，即存在类似于温度影响下很容易发生的多晶形现象。 压力对金属电阻的影响(a)和(b)正常元素；(c)反常元素 有趣的是，高的压力往往导致物质的金属化，引起导电类型的变化，而且有助于从绝缘体→半导体→金属→超导体的某种转变。 某些半导体和电介质转变为金属态所要的临界压力 众所周知，许多金属在高压下都能观察到多晶形现象。比较一下温度和压力的影响可以看到，压力对于相变来说是更为有利的。 实验表明，当温度变化时大约30种金属有多晶形转变；然而，在压力影响下却有40种金属发现了多晶形现象。 对于Bi，Sb，Cd，Li，Cs，Rb，He，Ba，Ga，Zn等等，压力将导致出现新的多晶形变体，而它们在常压下则是单晶形的。 它们的导电性能不同， 是因为它们的能带结构不同。 3.3 半导体的导电性 导体 半导体 绝缘体 晶体按导电性能的高低可以分为 导体 导体 导体 半导体 绝缘体 ?Eg ?Eg ?Eg 在外电场的作用下，大量共有化电子很易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能级图上来看，是因为其共有化电子 很易从低能级跃迁到高能级上去。 E 导体 虽然锗、硅和锡的能带结构与金刚石相似，但这些材料的禁带宽度Eg 较小。实际上，锡的禁带宽度小得使它具有类似导体的导电性。而禁带宽度Eg稍大一点的锗和硅成了典型的半导体。 绝缘体的能带结构与半导体相似，价带上都排满了电子，而导带上则没有电子。不同之处在于，许多半导体的禁带宽度为 0.4 ~ 0.5 eV，而绝缘体的禁带宽度则为 4 ~ 5 eV。不过，并没有一个严格的禁带宽度数值以截然区别半导体和绝缘体。 一些材料的禁带宽度Eg（eV） 导电材料与电阻材料 导电材料是以传送电流为主要目的的材料。对于像电力工业这样的强电应用的导电材料，主要有铜、铝及其合金。而像电子工业这样的弱电应用的导电材料则除了铜、铝之外，还常用金、银等。 电阻材料的主要目的是给电路提供一定的电阻。作为精密电阻材料的以铜镍合金为代表，如康铜（Cu-40%Ni-1.5%Mn）。铜镍合金的电阻率随着成分的变化而连续变化，在含镍为40wt%左右具有最大的电阻率、最小的温度系数、最大的热电势。 其他材料的导电性能 离子材料中的导电性往往需要通过离子的迁移来实现，因为这类材料中的禁带宽度较大，电子难以跃迁到导带。 所以大多数的离子材料是绝缘体。如果在离子材料中引入杂质或空位，能够促进离子的扩散，改善材料的导电性。 当然，高温也能促进离子扩散，进而改善导电性 高分子材料中的电子都是共价键结合的，所以高分子材料的禁带宽度都非常大，电导率也非常低。因此高分子材料常用作绝缘体。 解决这些问题的方法有两种，一是在高分子材料中引入添加剂，改善材料的导电性，二是开发本身就具有导电性的高分子材料。 3.2 金属电导 经典模型： 金属原子失去价电子成为带正电的离子实 价电子在离子的正电背景下能自由移动 金属中自由电子的运动状态特征分析讨论 (1) 能量量子化。 自由电子能量本征值表明：除非金属在空间中无限伸展，否则其中自由电子的能量不能连续变化，因此具有量子化特征。 比较： 金属中自由电子的能级量子化意味着其能量不连续变化 ——自由电子改变其状态而需要在不同能级之间跃迁 重力场中的人面对的是台阶，不是一个斜面 ——残疾人爬升遇到困难； ——正常人呢？(普通台阶高度；不合理设置的台阶高度) 区别：