半导体工艺图形曝光与光刻.ppt

现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 图形曝光与光刻 32 邻近效应 在光学图形曝光中，分辨率的好坏是由衍射来决定的。在电子束图形曝 光中，分辨率好坏是由 电子散射 决定的。当电子穿过抗蚀剂与下层的基 材时，这些电子将经历碰撞而造成能量损失与路径的改变。因此入射电 子在行进中会散开，直到能量完全损失或是因背散射而离开为止。 100 个能量为 20keV 的电子 在 PMMA 中的运动轨迹模拟 在抗蚀剂与衬底界面间，正向散射 与背散射的剂量分布 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 图形曝光与光刻 33 极远紫外光图形曝光（ EUV ） EUV 技术极有肯成为下一代图形曝光系统技术。可将曝光波长延伸到 30 nm 而不会降低产率。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 图形曝光与光刻 34 因为 EUV 光束很窄，必须利用光束扫描方式将描述电路图案的掩模版层 完全扫描。 EUV 已经证实可利用波长为 13nm 的光源，在 PMMA 抗蚀剂上制作出 50 nm 的图案。 挑战：所以的材料对 EUV 光都有强的吸收能力，所以曝光过程必须在真 空下进行。照相机必须使用反射透镜器件，而且必须覆盖多层的覆盖层 才可以参数 1/4 波长的布喇格反射分布。掩模版空片必须覆盖多层膜，以 便在波长为 10-14nm 得到最大的反射率。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 图形曝光与光刻 35 X 射线图形曝光（ XRL ） XRL 图形曝光极有潜力继承光学图形曝光来制作 100nm 的集成电路。当 利用同步辐射光储存环进行批量生产时，一般选择 X 射线源。它提供一个 大的聚光通量，且可轻易容纳 10-20 台光刻机。 XRL 是利用类似光学遮蔽接近式曝光的一种遮蔽式曝光。 掩模版为 XRL 系统中最困难且关键的部分，而且 X 射线掩模版的制作比光 学掩模版来得复杂。为了避免 X 射线在光源与掩模版间被吸收，通常曝光 都在氦的环境下完成。 可以利用电子束抗蚀剂来作为 X 射线抗蚀剂，因为当 X 射线被原子吸收， 原子会进入激发态而射出电子。激发态原子回到基态时，会释放出 X 射线， 此 X 射线被原子吸收，故此过程一直持续进行。所有这些过程都会造成电 子射出，所以抗蚀剂在 X 射线照射下，就相当于被大量的二次电子照射。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 图形曝光与光刻 36 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 图形曝光与光刻 37 X 射线图形曝光的几何效应 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 图形曝光与光刻 38 离子束图形曝光 离子束图形曝光比光学、 X 射线与电子束图形曝光技术有更高的分辨率， 因为离子有较高的质量而且比电子有较小的散射。最主要的应用为修补 光学图形曝光用的掩模版。下图为 60keV 的 50 个氢离子注入 PMMA 及不同 衬底中的电脑模拟轨迹。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 图形曝光与光刻 39 不同图形曝光方法的比较 先前讨论的图形曝光方法，都有 100nm 的或更好分辨率。每种都有其限 制：光学法的衍射现象、电子束的邻近效应、 X 射线的掩模版制作复杂、 EUV 的掩模版空片的制作困难、离子束的随机空间电荷效应。 对于 IC 的制造，多层掩模版是必需的，然而，所有的掩模版层并不需要 都用相同的图形曝光方法。采用混合与配合的方法，可利用每一种图形 曝光工艺的优点来改善分辨率与提供产率。 根据半导体工业协会的设想， IC 制作技术将在 2010 年时会达到 50nm 。 对于每一代新技术，由于要求更小的特征尺寸与更严格的套准容差，图 形曝光技术更成为推动半导体工业的关键性技术。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 图形曝光与光刻 40 各种图形曝光技术的比较如下 光学 248/193nm SCALPEL EUV X 射线 离子束 光刻机 光源 激光 电子束 极远紫外线 同步辐射 离子束 衍射限制 有 没有 有 有 没有 曝光法 折射式 折射式 折射式 直接光照 全区折射式 步进与扫描 是 是 是 是 步进机 200mm 硅晶片的 产率（片 /h ） 40 30-35 20-30 30 30 掩模版 缩小倍率 4x 4x 4x 1x 4x 光学邻近