讲座之二 LD参数要点.pptVIP

2018/10/5 31 ? Sigma σ ：光谱半宽 ( 单位： nm) 对于 FP LD 类产品来说， ITU-T-957 建议用最大均方 根 (RMS) 宽度定义为光谱宽度。 λ i — 为第 i 个峰值的波长 P i — 为第 i 个峰值的功率 P o — 为所有峰值的功率 半导体激光二极管 光学参数 ? ? ? ? ? n i i o i P P sigma 1 2 ) ( ? ? 2018/10/5 32 ? θ : 光束半宽 θ ∥ : 空间光束平行于 LD PN 结结平面方向最大强度下降 3dB 时所对 应的全宽度定义为平行发散角 θ ⊥ ：空间光束垂直于 LD P-N 结结平面方向最大强度下降 3dB 时所对 应的全宽度定义为垂直发散角 用公式表示为： 从式中可知：空间光束半宽度与有源层 d 和有源层宽 W 有关， d 与 W 赿大， θ ∥ 和 θ ⊥ 就赿小 半导体激光二极管 光学参数 ? ? ? ? ? ? ? W arc 2 ? ? sin . ? ? ? ? ? ? ? ? ? d arc 2 ? ? sin . 2018/10/5 33 ? θ : 光束空间远埸结构示意图 半导体激光二极管 光学参数 2018/10/5 34 ? 4.15 SMSR ：边模抑制比 ( 单位： dB) ( 仅对于 DFB LD 而言 ) 定义：是指在发射光谱中，在规定的输出光功 率和规定的调制 ( 或 CW) 时最高光谱强度 与次高光谱强度之比 根据 ITU-T-G957 要求 SMSR≥30dB 半导体激光二极管 光学参数 2018/10/5 35 SMSR 曲线说明 半导体激光二极管 光学参数 2018/10/5 36 4.13 热学参数 4.13.1 LD 热阻： R T ( 单位：℃ / W) ? R T 定义为加在器件单位电功率所引起的结温升 半导体激光二极管 热学参数 式中 : T j 结区温度 ; T HS 热沉温度 ; P i 注入电功率 ; I F 正向注入电流 ; V F 正向结压降。 F F HS j j T V I T T Pi T R ? ? ? ? ? 2018/10/5 1 第一部分 半导体激光器简介 第二部分 半导体激光器基本工艺 第三部分 半导体激光器光电参数 第四部分 半导体激光器可靠性 半导体激光二极管 2018/10/5 2 3 、激光器参数种类 3.1 电学参数 ? 阈值电流 --I th ? 正向电流 --I F ? 正向电压 — V F ? 反向电压 — V BR 半导体激光二极管 参数 2018/10/5 3 ? 微分串联电阻 — R s ? 监视电流 — I m ? MPD 暗电流 --I D 半导体激光二极管 参数 2018/10/5 4 3.2 光学参数 ? 输出功率 --P o ? 峰值波长 -- λ p ? 光谱半宽 —Δ λ ? 边模抑制比 — SMSR( 仅对 DFB LD) ? 光束半角 —θ ? 消光比 — EXT 半导体激光二极管 参数 2018/10/5 5 3.3 热学参数 ? LD 热阻： R T ? LD 特征温度： T 0 ? 发射波长与温度的关系参数： Δ λ (nm/℃) 半导体激光二极管 热学参数 2018/10/5 6 3.3 其它参数 ? 跟踪误差 --TE ? 相对强度噪声 --RIN ? 上升 / 下降时间 — t r /t f ? 载止频率 --fc 半导体激光二极管 参数 2018/10/5 7 4. 参数说明 4.1 I th — 阈值电流 定义：在正向电流注入下， LD 开始振荡 ( 开始发 出激光 ) 时所需要的电流 测量 I th 的方法有三： ? 双斜率法 — 两条直线延长线交点所对应电流轴的电流 ? 远埸法 — 用变象管荧屏观察 ? 光谱法 — 从发射的光谱图上确定 Ith 半导体激光二极管 电学参数 2018/10/5 8 典型 P-I/V-I/I-Im 曲线 达到阈值时的必要条件 式中： α i 腔体内部损耗系数 L ： LD 腔长 R 1 R 2 ： LD 端面反射系数 半导体激光二极管 电学参数 2 1 i th R R 1 L 2 1 g ln ? ? ? 2018/10/5 9 4.2 I F -- 工作电流 定义： 在规定激光器的输出功率下所对应电 流轴的电流值 (I F = I th + Δ I) 半导体激光二极管 电学参数 2018/10/5 10 4.3 V F / V op -- 正向导通电压 / 正向工作电压 定义： ? 在正向驱动电流 I F =1mA 时所对应 X 轴交点处的值即 为 V F ? 在正