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本 科 生 毕 业 论 文
开题报告
题 目: Pr和Dy共掺杂BiFe0.97Mn0.03O3
薄膜的制备及多铁性能研究
姓 名:
学 号:
指导教师:
班 级:
所在院系:
1 多铁材料概况
随着微电子技术、光电子和传感器等方面技术的发展,高质量功能材料的需求越来越大,多铁性材料就是在一定温度下同时存在(反)铁电性、(反)铁磁性和铁弹性两种或者两种以上有序态的一类多功能材料。这其中最有研究意义和使用价值的一类是同时具有铁电性和铁磁性的铁磁电材料。铁电材料作为一种铁电、压电、热释电性能良好的介电材料,成为可广泛应用于微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域的重要功能材料[1]。如利用铁磁材料中自发磁矩随外磁场变化而翻转可作为信息存储介质;同理,利用自发极化随外电场而变化也可作为铁磁存储器。过去铁电材料的应用主要集中在它的压电、热释电、电光性能极其高介电常数上,随着新铁电薄膜工艺的发展,铁电材料的应用越来越广泛。铁电薄膜是厚度仅为几十纳米到几微米的具有铁电性的薄膜。它具有块体材料所不具备的优点[2-3],比如易集成,制备工艺与集成电路工艺兼容,工作电压低等。随着制膜工艺的发展,铁电薄膜具有越来越优越的性能,被广泛应用,如图1-1所示。为了更好的了解铁电材料,有必要对铁电材料的相关性质作一下回顾。
图1-1 铁电薄膜的应用
1.1 铁电性
在无外电场的作用下,晶胞中的正负电荷中心不重合,形成固有的偶极矩,从而出现自发极化,这种自发极化有两个或者多个可能的取向,其取向可以随电场而转向,并且当外电场撤除后存在不为零的剩余极化值,材料的这种特性称为铁电性,具有铁电性的晶体称为铁电体。在较强的交变电场作用下,铁电体的极化强度P随外电场呈非线性变化,而且在一定的温度范围内,P表现为电场E的双值函数,呈现出滞后现象,这个P-E(或D-E)回线就称为电滞回线[4],如图1-2所示。通常,铁电体自发极化的方向不相同,但在一个小区域内,各晶胞的自发极化方向相同,这个小区域就称为铁电畴。在直流外电场E作用下,铁电体中电畴的极化都趋向同一个方向,随着电场E的增加,最终会形成单畴铁电体。在较强的交变外电场作用下,铁电晶体会产生电滞回线,电滞回线对于坐标原点通常是对称的,铁电体的电滞回线是铁电畴在外电场作用下运动的宏观描述。
HCOG BEPs-E
H
C
O
G
B
E
Ps
-Ec
Ec
-Pr
Pr
E
P
I
F
A
图1-2 铁电体的电滞回线
1.2 铁磁性
铁磁性,是指物质中相邻原子或离子的磁矩由于它们的相互作用而在某些区域中大致按同一方向排列,当所施加的磁场强度增大时,这些区域的合磁矩定向排列程度会随之增加到某一极限值的现象。在铁磁性物质内部,如同顺磁性物质,有很多未配对电子。由于交换作用,这些电子的自旋趋于与相邻未配对电子的自旋呈相同方向。由于铁磁性物质内部又分为很多磁畴,虽然磁畴内部所有电子的自旋会单向排列,但磁畴与磁畴之间,磁矩的方向与大小都不相同,因此未被磁化的铁磁性物质,其净磁矩与磁化矢量都等于零。外加磁场后,磁畴的磁矩会趋于与外磁场呈相同方向,且随着外磁场的增高而达到“饱和点”,即为饱和磁化强度(Ms)。当外磁场逐渐被撤出至零时,铁磁性物质的磁化强度不会随之减小到零,而是剩有一定磁矩,即剩余磁化强度(Mr)。磁化强度的变化往往会滞后于外磁场强度的变化,即所谓的磁滞现象,因而磁化强度与外磁场强度的关系是非线性的,表现为“磁滞回线”,如图1-3所示。图中Ms为饱和磁化强度,Mr为剩余磁化强度,Hc为矫顽力。铁磁性材料使用须在某一温度下,超过该温度,由于物质内部的热运动过于剧烈使得电子自旋磁矩去向杂乱无章,磁矩相互抵消为零,不在具有磁性,这一温度即为尼尔温度。
图1-3 铁磁体的磁滞回线[5]
2 单相多铁材料BiFeO3(BFO)
在铁电材料所包括的材料种类中,目前应用得最为广泛的是铅系列材料(PZT)。但是由于含铅材料的有毒,而且此类铁电材料居里温度较低(250-380℃),耐疲劳性能较差(特别是对沉积在Pt衬底上的薄膜),应用范围受到了限制。随着世界范围内对含铅材料应用的限制,对无铅铁电材料的研究己成为最能够吸引关注的领域之一。虽然多数材料都有或多或少的缺陷,但是扔有少数材料具有较为优良的性能,成为了铁电材料的研究热点,其中BiFeO3(BFO)是最渴望得到应用的多铁性材料之一。
2.1 BiFeO3的结构与性能
BiFeO3具有8个机构相变,室温结构如图2-1所示。块体的BiFeO3
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