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MACROBUTTON MTEditEquationSection2 SEQ MTEqn \r \h SEQ MTSec \r 1 \h SEQ MTChap \r 1 \h 第十一章 光折变效应
光折变效应(photorefractive effect)——光致折射率改变效应(light induced refractive index change effect)。
1966年贝尔实验室Ashkin等人利用和晶体进行倍频实验时意外地发现光折变效应,由于光辐照区折射率的变化破坏了产生倍频的相位匹配条件,从而降低了倍频转换的效率,故称之为光损伤 Ashkin A,et a1. Appl Phys Lett,9,72(1966)。1968年Chen等人首先认识到用这种现象“光损伤”可以进行光信息存储,并深入研究了这种效应的物理机制,提出了光激发载流子的漂移模型 Chen F S,et a1.Appl Phys Lett,,13:223(1968)。上世纪90年代之前,光折变效应的研究主要集中于无机材料,大致可分为以下3类:1、铁电晶体,如LiNbO3、KNbO3、KTN、BaTiO3、SBN、BNN等;2、非铁电体,如Bi12GeO20、Bi4Ge3O12、Bi12SiO20、Bi12TiO20等;3、化合物半导体,如GaAs
Ashkin A,et a1. Appl Phys Lett,9,72(1966)
Chen F S,et a1.Appl Phys Lett,,13:223(1968)
崔元靖,王民权,钱国栋,材料导报 16(10), 12, 2002
1990年,Sutter等人首次在掺有微量7,7,8,8一四氰基对醌二甲烷(TCNQ)的有机晶体2一环辛胺基一5一硝基吡啶(COANP)中观察到了明显的光折变现象,由此揭开了有机光折变材料研究的序幕 Sutter K,Hullinger J,Giunter P,Solid State Commun. 74, 867, 1990;1991年,Ducharme等人第一次报道了聚合物体系中的光折变效应,这种聚合物体系是由非线性环氧聚合物bis-NPDA掺杂30wt%的DEH组成的 Ducharme, et al. Phys. Rev. Lett. 66, 1846, 1991。与无机材料和有机晶体相比,聚合物材料有无可比拟的优势:光学损伤阈值高,响应速度快,直流介电常数低,机械性能好,掺杂和设计改性容易 Sebastian K?ber, et al, Adv. Mater. 2011, 23, 4725–4763。所以聚合物是一种非常有前途的光折变材料,它的出现大大推动了有机光折变研究的发展,使得有机光折变材料越来越受到各国科研小组的极大关注,获得了飞速的发展。例如,1993年Donckers等人首次在有机材料体系PVK/FDEANST/TNF中观察到了两波耦合净增益,即材料的两波耦合系数超过了其吸收系数 M. C. J. M. Donckers,
Sutter K,Hullinger J,Giunter P,Solid State Commun. 74, 867, 1990
Ducharme, et al. Phys. Rev. Lett. 66, 1846, 1991
Sebastian K?ber, et al, Adv. Mater. 2011, 23, 4725–4763
M. C. J. M. Donckers, et al. Opt. Lett. 18, 1044, 1993
K. Meerholz, et al., Nature 371, 497, 1994
Z.JChen, et al., Appl. Phy. Lett. 73, 3629, 1998
D.Wright, et al., Appl. Phy. Lett. 73, 1490, 1998
光折变材料和器件具有广阔的应用前景。光折变效应可以实现三维光折变全息存储器、实时3D显示、自泵浦相位共轭器、窄带滤波器、定向耦合器、光学放大器、振荡器、空间光调制器,应用于光学信息处理、光计算集成光学及神经网络技术方面。
目前研究方向:主要集中于进一步了解光折变效应的微观机理、研制高效的光折变材料或抗光折变材料和利用光折变效应研制高性能实用器件等等。
第一节 光折变效应的物理机制
光折变效应是发生在电光材料内部的一种非线性光学现象,即材料受到非均匀的激光辐照时能吸收光子而产生电荷转移,从而形成空间电场,再通过电光效应调制材料的折射率,使其随入射光光强的空间分布而变化。
一、产生光折变效应的过程和带输运模型
图一、光折变光栅形成的
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